Su-8 紫外光刻
厚度70μm,
问题1旋涂过程中总有小泡;
问题2前烘中从65℃到95℃,硅片一直待在基底上还是,65°C完成后,移出,待95℃再放上去;
问题3曝光剂量指的是在哪一波长下的;
问题4在曝光后放在加热板的一瞬间,光刻胶出现褶皱,什么原因导致的;
问题5 最终70μm的胶只出来了10μm左右的坑,原因是因为过度曝光加基底衍射吗
感谢各路神仙不吝赐教
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厚度70μm,
问题1旋涂过程中总有小泡;
问题2前烘中从65℃到95℃,硅片一直待在基底上还是,65°C完成后,移出,待95℃再放上去;
问题3曝光剂量指的是在哪一波长下的;
问题4在曝光后放在加热板的一瞬间,光刻胶出现褶皱,什么原因导致的;
问题5 最终70μm的胶只出来了10μm左右的坑,原因是因为过度曝光加基底衍射吗
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问题1:厚度较厚,滴胶不均匀或者胶中有杂质都有可能造成。
问题2:从65度放上去,等到95度拿出。不过一般光刻胶前烘都是恒定温度和时间的,你这种方式比较少见。
问题3:这个去问光刻胶厂家。
问题4:结合问题1你先确认下胶有没有问题,而且光刻胶中间有气泡的话肯定一加热就裂了。
问题5:70um只被曝掉10um的话,应该是曝光时间不够,基底衍射一般会残留一些,但你这残留的也太多了。
先检查下胶吧,确定没问题再一步步改善,多咨询光刻胶厂家,厂家一般会有固定参数,