光刻工艺，可以进行可以做以下的周期结构吗？
我现在的思路是，先在基底光刻刻蚀周期性的金，然后沉积SiO2，这样的话基底和金上都有了SiO2。最后将沉积在金上的SiO2刻蚀掉，但是这么做可能会使金的表面不光滑，或者SiO2和金的交界处有缺陷，两种材料的厚度不一致。请问前辈们有什么建议吗？
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先长氧化硅，然后刻蚀，再溅射金，最后光刻腐蚀氧化硅上的金，会不会比较好控制一些
最近才开始接触光刻，老师说这种方法可能会有缺陷
，
都一样，这个多介的表面是个大难题
有什么建议吗，这位前辈
为什么把你的内容都屏蔽了？