缺陷形成能的计算
我从文献和小木虫上看到有两种不同的缺陷形成能的公式，一个是第一张图中的，一个是第二张图中的，感觉这两个公式算出来的值应该不太一样，想请教大家，这两个公式有什么区别呢?分别适用于什么情况，感谢！
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带电荷缺陷会有校正项
对的呢
第一個公式是?囊话愕� formation energy 出發所寫出的 defect formation energy
只適用於中性 (neutral) 系統
defect 很容易吸引電子 (�?似水往低處流的概念)
也可能會排出電子 (傾向形成與週邊環境融合)
因此 defect 容易帶正電或負電
此時，計算這個帶電的 defect 的 formation energy
需要對這個 正電/負電 做修正
所以就會出現你看到的公式 2
尾巴那一項 q(EF-Ev-deltaV) 就是修正項，