中国科学院微电子研究所-先导中心-朱慧珑课题组招聘高级工程/副研究员和工艺工程师
中国科学院微电子研究所朱慧珑课题组拟招聘高级工程师/副研究员和工艺工程师各一名。
高级工程师/副研究员
要求:
1) 工作态度认真负责/做事积极主动/有较强的学习、理解、创造、独立思考及沟通协调能力;
2)能熟练阅读相关中英文献/有自主分析解决问题的能力;
3)熟悉和喜爱集成电路制造工艺/具有半导体工艺开发经验者优先考虑。
4)有集成电路器件研发经验优先考虑。
5)微电子或物理/化学/化工等,硕士及以上
职责:
1)负责集成电路/半导体工艺流程开发,及后续的工艺整合及优化;
2)协助分析器件、工艺和版图设计方案,以及相关测试结果。
3)熟悉工艺制程及其他相关制程。
4)负责先进半导体器件工艺的调研及研发。
工艺工程师
要求:
1)工作态度认真负责/做事积极主动/有较强沟通能力;
2)能熟练阅读相关中英文献/有自主分析解决问题的能力;
3)熟悉和喜爱集成电路制造工艺/具有半导体工艺开发经验者优先考虑。
4)有集成电路器件研发经验优先。
5)微电子或物理/化学/化工等,本科及以上
职责:
1)负责集成电路/半导体工艺流程开发,及后续的工艺整合及优化;
2)协助分析器件、工艺和版图设计方案,以及相关测试结果。
3)熟悉工艺制程及其他相关制程
简历投递至:zhangyongkui@ime.ac.cn;jiakunpeng@ime.ac.cn
问题咨询: hr@ime.ac.cn
课题组长简介:
朱慧珑研究员1982年学士毕业于中国科技大学物理系,1988年于北京师范大学获博士学位,专业均为物理。他是中科院微电子所集成电路先导工艺研究中心首席科学家、国家及中国侨联特聘专家,长期从事集成电路关键工艺技术先导及应用研究,现任中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师,目前专注解决3nm及以下技术代晶体管器件结构和制造工艺的工程科学问题,重视研究面向生产,拥有已授权美国专利530多项, 多项专利被广泛用于产品制造。1990年至2009年,先后在美国Argonne国家实验室、UIUC、DEC、Intel、IBM等任职,曾是IBM全公司2007年度4名引领发明家(Leading Inventor)之一;IBM发明大师(Master Inventor);获IBM优秀专利奖两次和IBM公司发明成就奖51次。 2009年回国后朱博士先后担任国家重大专项02专项 “22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”和“16-14纳米基础技术研究”项目首席专家,领导了22-14纳米技术代关键工艺技术先导研发,在国内首次完成了原型器件的研发并建立了较系统的高质量专利组合,曾先后获得“中国科学院杰出科技成就奖”、“第十七届中国专利奖优秀奖”、“北京市科学技术奖一等奖”、“中国电子学会科学技术奖技术发明类一等奖”和“第十九届中国专利奖优秀奖”,并连续8年被评为微电子所“研究生喜爱的导师”。
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