香港中文大学 深圳市半导体激光器重点实验室欢迎【激光器件博士后】
课题组招聘方向
1. 半导体激光器光电设计、工艺制成及光电测量经验。
2. MBE或MOCVD外延生长。
3. 半导体发光器件仿真模拟，熟练光、电、热多物理场耦合仿真（如具有FDTD，COMSOL Multiphysics 等使用经验）。
职位说明
应聘者须具备：
1. 扎实的光电子物理理论基础；
2. 熟悉半导体激光器件制作工艺。能熟练使用电子束曝光（EBL），光刻等设备，能够熟练进行套刻工艺；具备干法刻蚀设备使用经验，如反应离子刻蚀（RIE），感应耦合等离子体刻蚀（ICP）等设备；具备微纳电极制备及表征的能力；
3. 具备测试光路搭建及光学表征能力；（有3~5k低温光学测试经验、pump-probe搭建测量或条纹相机进行高速测试经验者优先）或在其他光电方向上具有突出能力者；
4. 熟练的英文听说读写能力；
5. 有撰写基金申请书并获批者优先。
工作职责包括：
1. 独立开展学术研究，申请课题经费；
2. 协助指导组内学生科研工作。
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京公网安备 11010802022153号
谢谢，欢迎邮件咨询导师！
感谢留言，请符合资质的博后踊跃申请，谢谢！
在站待遇：
1. 个人收入：30-50万（包含深圳博士后津贴），享受五险一金等福利待遇；
2. 绩效：根据个人工作情况发放奖金；
3. 人才奖励：（1）具有境外知名大学博士学位，或境外2年博后，或近5年以第一作者或通讯作者（含同等贡献作者）在国际高水平科技期刊（所在专业领域《期刊引用报告》JCR一区以上，非中科院JCR标准）发表论文3篇者，可申报孔雀人才C类160万人才奖励。具有境内博士学位争取申请后备级人才认定获得相应人才奖励。认定标准参见下面链接： https://www.sztalent.org/content/2016-11/09/content_14206500.htm
（2）境外知名高校（泰晤士报排名前200名）博士毕业未满两年，35岁以下者，可同时申请广东省珠江人才计划引进海外青年人才博士后资助项目的生活补贴（税前30万元/年，2年）。申报标准参见下面链接：https://www.gdstc.gov.cn/HTML/zwgk/tzgg/15023539820107816032020409720024.html
4. 其他待遇：（1）申请享受香港中文大学（深圳）校内住房或深圳市人才租赁房；（2）期满出站后可申请留校（深）工作，并申请深圳市博士后留深工作科研经费资助（30万元），符合条件者可申请深圳市人才认定及奖励补贴（例如深圳市后备级领军人才奖励补贴税后30万元，龙岗区深龙英才C类奖励补贴税后15万元/年，5年）。
申请程序，
本广告长期有效，有意者请联系导师，邮箱：zhangzy@cuhk.edu.cn
请符合以下条件的博后踊跃投递简历：
1. 扎实的光电子物理理论基础；
2. 熟悉半导体激光器件制作工艺。能熟练使用电子束曝光（EBL），光刻等设备，能够熟练进行套刻工艺；具备干法刻蚀设备使用经验，如反应离子刻蚀（RIE），感应耦合等离子体刻蚀（ICP）等设备；具备微纳电极制备及表征的能力；
3. 具备测试光路搭建及光学表征能力；（有3~5k低温光学测试经验、pump-probe搭建测量或条纹相机进行高速测试经验者优先）或在其他光电方向上具有突出能力者；
4. 熟练的英文听说读写能力；
5. 有撰写基金申请书并获批者优先。