请问非晶硅是直接带隙吗?
最近查资料发现有人说非晶硅是直接带隙(百度词条里也说非晶硅是一种直接能带半导体),但是疑问就来了,为什么是直接带隙,但文献里光学能隙所用的都是这个tauc公式:(hav)1/2=k(hv-Eg)???
这个不是间接带隙的拟合方式吗?
求大家热心解答呢
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最近查资料发现有人说非晶硅是直接带隙(百度词条里也说非晶硅是一种直接能带半导体),但是疑问就来了,为什么是直接带隙,但文献里光学能隙所用的都是这个tauc公式:(hav)1/2=k(hv-Eg)???
这个不是间接带隙的拟合方式吗?
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不客气 那你送点金币啦
文献说明能给一下吗?
非晶硅带隙定义复杂,大家比较喜欢使用Tauc公式定义非晶硅的带隙,称之为Tauc带隙(间接带隙;可参考:Tauc, J. (1968). "Optical properties and electronic structure of amorphous Ge and Si". Materials Research Bulletin 3: 37–46. doi:10.1016/0025-5408(68)90023-8)。
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但动量守恒法则并不适用于非晶硅(从这一点,又称之为直接带隙材料)
19/66页:
文字来源:
https://www.docin.com/p-1203473715.html
咨询楼主个问题, 非晶硅是n型还是p型半导体?可以用作太阳能电池的异质结么?是否有他的功函数?
这个现在真的不太清楚呢,不好意思啦
你好,请问你截图的这个文章你能给个全文吗?真的特别感谢你啦!