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请问非晶硅是直接带隙吗？

作者 jinlujie: 来源: 小木虫 800 16 举报帖子

最近查资料发现有人说非晶硅是直接带隙（百度词条里也说非晶硅是一种直接能带半导体），但是疑问就来了，为什么是直接带隙，但文献里光学能隙所用的都是这个tauc公式：(hav)1/2=k(hv-Eg)？？？

这个不是间接带隙的拟合方式吗？
求大家热心解答呢返回小木虫查看更多

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qfw_68

多晶硅是直接带隙，楼主所说的文献引错了公式。
正确的应该是这样：
https://www.docin.com/p-485591016.html
zhao1996

n= 2 0.5的公式都有啊，n=2 for a direct transition or 1/2 for an indirect transition. 非晶硅是一种直接能带半导体,
jinlujie

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2楼: Originally posted by qfw_68 at 2015-07-20 14:18:00
多晶硅是直接带隙，楼主所说的文献引错了公式。
正确的应该是这样：
https://www.docin.com/p-485591016.html

谢谢您的热心解答，这篇文献我看过，我觉得这篇文献比较片面呢，我查过很多文献，多晶硅应该是间接带隙
jinlujie

引用回帖:
3楼: Originally posted by zhao1996 at 2015-07-20 14:56:26
n= 2 0.5的公式都有啊，n=2 for a direct transition or 1/2 for an indirect transition. 非晶硅是一种直接能带半导体,

谢谢您的热心回复，但是您说非晶Si是一种直接能带半导体，能给出参考文献吗？我找了很多，都没找到呢
jinlujie

引用回帖:
2楼: Originally posted by qfw_68 at 2015-07-20 14:18:00
多晶硅是直接带隙，楼主所说的文献引错了公式。
正确的应该是这样：
https://www.docin.com/p-485591016.html

还有呢，我想知道的是非晶Si的呢，请问这个能回复一下吗？
zhao1996

引用回帖:
5楼: Originally posted by jinlujie at 2015-07-21 11:35:40
谢谢您的热心回复，但是您说非晶Si是一种直接能带半导体，能给出参考文献吗？我找了很多，都没找到呢...

你在数据库里搜搜吧，我们最近网不好。https://baike.baidu.com/link?url ... bEvp_mVa9Ko9MnedWfq
，
jinlujie

引用回帖:
7楼: Originally posted by zhao1996 at 2015-07-21 11:59:19
你在数据库里搜搜吧，我们最近网不好。https://baike.baidu.com/link?url=aCRTDFqTt1He8gvZcfXs13xzFy95jzMTsC-nmrsPyDt0cbVj-M6f5ZHWvxgRgBFYwzibEvp_mVa9Ko9MnedWfq...

我找过，没找到呢，所以才来这里求助的，不过还是谢谢你啦