CTAB焙烧前后对MCM-48的XRD衍射图谱的变化?
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各位大侠好!!!请教大家一下,就是我做的介孔材料在550℃下未焙烧时其XRD衍射峰未出现归属于MCM-48的特征峰,一旦其经过550℃焙烧后就出现了归属于MCM-48的特征峰 出现这种情况的原因是什么呢?有没有人给我详细解释下啊
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各位大侠好!!!请教大家一下,就是我做的介孔材料在550℃下未焙烧时其XRD衍射峰未出现归属于MCM-48的特征峰,一旦其经过550℃焙烧后就出现了归属于MCM-48的特征峰 出现这种情况的原因是什么呢?有没有人给我详细解释下啊
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焙烧后结晶度会提高。
合成MCM-48的时候要用CTAB和三嵌段聚合物做表面活性剂,这些表面活性剂要在500度以上焙烧才能完全去除,去除之后才能形成介孔结构。楼主是不是没有高温处理过?没有处理过,相当于孔道里面全是表面活性剂,没有孔道,也没有XRD的峰。
恩烧了 呀 我只是想知道这里面有没有详细的资料区说明这个焙烧前后XRD图谱的变化
,
不知道这篇文献对楼主有没有帮助?
MCM—41介孔分子筛结构的XRD表征.pdf(176.61KB)
https://kuai.xunlei.com/d/GMWYEZRILLYL?p=130497
非常感谢啊