正面长有氮化硅（Si3N4）的硅片怎样去除硅片背面的薄淡化硅层（~几nm）
我想用长有氮化硅的硅片作OTFT衬底，怎样去除硅片背面的薄氮化硅（约几nm）层，以露出硅用作OTFT的栅电极（实验室用）。各位帅锅，美女，求助！有知道的回个帖，谢谢！
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用氢氟酸腐蚀去掉就行了
不过注意安全
用氢氟酸腐蚀背面的时候，正面用什么掩盖？
如果用光刻胶掩盖正面，光刻胶怎么去除干净？
另外，能不能用透明胶把正面封上，只在背面中间留一小块用氢氟酸腐蚀？你在实验中怎么处理这个问题
，
为什么要用氮化硅呢？
直接用硅片不就可以了么
硅片的衬底是可以直接做栅极的
是用硅片作栅，用氮化硅作绝缘层