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【讨论】AAO/Ti/Si+电沉积+Ni nanowires

作者 jinxiaoyun: 来源: 小木虫 500 10 举报帖子

最近在做硅基上的AAO模板，打算直接在硅片电沉积Ni纳米线，一直郁闷的是AAO/Si的导电性问题，有文献上是在硅片上先镀一层Ti，然后镀铝，铝的阳极氧化完成后在继续氧化，使阻挡层溶解完，直接电沉积Ni纳米线。纳闷的是Ti也会氧化的哈，二氧化钛的导电性貌似也不好的吧，而且文献上讲的电位为-0.9v。
虫友们有人做过想关的没有？
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精华评论

guwei2892091

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Originally posted by jinxiaoyun at 2010-12-02 20:33:00:
最近在做硅基上的AAO模板，打算直接在硅片电沉积Ni纳米线，一直郁闷的是AAO/Si的导电性问题，有文献上是在硅片上先镀一层Ti，然后镀铝，铝的阳极氧化完成后在继续氧化，使阻挡层溶解完，直接电沉积Ni纳米线。纳闷 ...

Ti是为了提高Al与硅的粘结性，AAO/Si导电性不是问题，AAO很容易从硅片上脱落
，
jinxiaoyun

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Originally posted by guwei2892091 at 2010-12-03 14:20:36:

Ti是为了提高Al与硅的粘结性，AAO/Si导电性不是问题，AAO很容易从硅片上脱落

你做过吗？最近在做电沉积，貌似沉积不上，气泡倒是很多，氢气貌似在镍还原之前析出来了，悲剧的一米，模板上好多肉眼都能看到的小坑。。。
shikyang

那是你的模板被腐蚀了兄弟
jinxiaoyun

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Originally posted by shikyang at 2010-12-06 06:05:41:
那是你的模板被腐蚀了兄弟

我觉得应该是产生气泡时形成的吧。。
guwei2892091

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Originally posted by jinxiaoyun at 2010-12-04 09:07:13:

你做过吗？最近在做电沉积，貌似沉积不上，气泡倒是很多，氢气貌似在镍还原之前析出来了，悲剧的一米，模板上好多肉眼都能看到的小坑。。。

我也做过，也没沉进去
jinxiaoyun

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Originally posted by guwei2892091 at 2010-12-06 10:48:53:

我也做过，也没沉进去

你以前怎么做的？
guwei2892091

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Originally posted by jinxiaoyun at 2010-12-06 12:31:13:

你以前怎么做的？

也是直接在硅片蒸铝做AAO