【求助】关于态密度的几个问题
看了版上的几个关于态密度的讨论,
我这里有三个关于态密度的有机分子(在晶胞下)的PDOS
下面我提炼出自己的几个问题,恳请版上的高手告知一二,十分感谢!
1:我要看哪个分子更加有利于空穴或者电子传输,如何看?
2:价带的pdos跨过费米能级的原因?以及造成的影响?
3:三个分子在费米能级处的峰是逐渐左移的,这表明?
十分感谢各位的解答!
看了虫子的回帖,我这里说明一下体系:体系全是有机体系小分子体系,C,H,N的体系,原子全部由共价键连接.这应该不存在参杂的问题吧?呵呵
囧:怎么回帖也发不了图,编辑也发不了图了? 能传band gap 的时候我马上传
[ Last edited by jiewei on 2010-3-4 at 09:35 ]
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图2 如图
图3 如图
问题提的真好,我也想知道答案,期待。。
你的三个态密度对应着什么体系?是不是下边的两个是掺杂的?费米面的右移即态密度整体的左移表示体系的电子增多,比如说在碳的体系里你引入了氮 掺杂,随着掺杂量的增加,费米线会向右移。相反如果掺入硼,费米线会向左移。
另外,分波态密度跨过费米能级表示这个态的电子对体系的电子传输起关键作用,
你问的不是很清楚,我做的是有机的传输。可能是你要问的,咱们讨论一下。
你说看哪个分子有利于传输?难道你的晶体中有多种不同的分子?再有从能带看,价带和到带的展宽,再对应到dos下是否好些?
至于dos跨过费米能级,这个问题,我也遇到,希望高手解答。
我觉得是这个样的,但不一定对啊;)
1:电子传输跟有效适量和群速有关,这个需要到能带结构中才能看出来,DOS中看不出来。有效质量在一般的固体物理书中都有相应公式。
2:pdos跨国费米能级,说明材料是金属,不是半导体。
前提是你的计算结构经过了收敛测试。