【讨论】铁电薄膜配套电极的选择
铁电薄膜的电学性能除了与取向和晶化程度相关外，还很强地依赖底电极材料的质量以及二者之间发生互扩散（与退火温度密切相关）的程度。因此，选择合适的底电极材料是开展铁电薄膜研究工作必须面对的一个关键问题。欢迎对铁电薄膜感兴趣的虫子们就此问题从基础研究和器件应用两个方面来展开讨论。
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好贴，支持下，顶！
占个位置 看情况发言
很多都用的Pt,也有氧化物的
大多数多晶薄膜长在Pt上，也有用Ir的，比较好控制界面反应。国内有一些人喜欢用Au，但是美日欧洲人很少用Au，因为Au是半导体工业的禁忌，用Au电极没有任何实用意义。目前的器件应该都是基于贵金属电极的。
氧化物电极用得最多的是SrRuO3，一般做外延薄膜的衬底，或者做改善疲劳的buffer。其它LaNiO3、LaSrMnO3甚至RuO2、ITO薄膜都有人用。一般来说，氧化物电极对疲劳有改善，但是仍然有争议，因为氧化物电极最直接导致的是漏电流增大。Scott讲过，漏电的薄膜是不会疲劳的。氧化物电极、漏电和疲劳之间的关系现在也没说清楚，但是随着铁电薄膜话题的冷却也鲜有人问津了。
由于在氧化物电极上制备的铁电薄膜多为外延取向膜，而取向薄膜的漏电流通常比多晶膜的漏电流要大。本人认为在氧化物电极上的铁电薄膜漏电大应该是自身的缺陷造成的，而与底电极无关。在氧化物电极获得铁电性能优异的铁电薄膜的关键还是要尽量提高薄膜的晶化质量，也就是说降低铁电薄膜中的缺陷。美国Ramesh教授小组做的工作都是在氧化物电极上的，我想他们的工作是最有说服力的。
严重同意楼上的观点。氧化物电极取代贵金属电极应该是大势所趋。除了成本因素外，更低的制备温度、更好的界面、及其带来的更好的铁电性能有助于提高未来集成铁电芯片的综合性能。
我本来已经准备就这个问题闭嘴了。但是看到楼上的话终究还是忍不住。我不知道楼上基于什么判断氧化物电极是大势所趋。以我在铁电这一行十几年的经验，我认为对器件来说，氧化物电极一无是处。当然，说起来很搞笑，我自己以前没钱没设备的时候也做LaNiO3，后来有钱有设备了也做SrRuO3，搞文章就是了。对于真正做器件的厂家来说，工艺简单可靠甚至比单纯的性能提高更加重要，这就是氧化物电极的死穴。更何况，楼上凭什么说氧化物电极能提高性能呢？除了能外延，还有什么用？但是请想一想，铁电存储器需要外延薄膜吗？不需要。为什么呢？因为铁电存储的市场定位就是低端市场的低密度存储。这种应用根本不在乎多晶膜带来的那一点点不均匀，反而得益于多晶薄膜的高绝缘性。绝缘性对器件来说比剩余极化更重要，重要得多。因为这牵涉到功耗和散热，对器件的设计影响极大。而剩余极化，对于低密度存储使用的2T－2C结构，只要2Pr超过3uC/cm^2对放大电路来说就足够分辨两个状态了。当然，一般为了保险都会放一些，10uC/cm^2总够了吧，这样即使有一些不均匀，这个node是15，那个node是12也不会有什么问题。10uC/cm^2的2Pr，很容易做到的吧。所以，你看我们并不需要通过外延来获得大的剩余极化。可能你做的项目绪言里写的是要做高密度存储，那我只能耸耸肩膀。是的，我自己写申请的时候也这么写，不这么写，谁给你钱呢。但是，我们做研究的自己心里要清楚。
最后，忍不住还是想comment一下Ramesh的BiFeO3。的确，他发了一堆高点数的文章，但是他那些文章有哪个好一点的小组严肃认真的重复过吗？不奇怪吗，这么好的工作最起码应该有一堆韩国人日本人跟着上啊？非但没有像样的重复，还被人在Science上置疑过。看Ramesh的工作看看热闹就算了，别太认真。你就看BiFeO3那个矫顽场得有多大吧，再加上又那么容易漏电，膜要搞得狂厚，工作电压得多大啊，叫器件怎么用埃�