n型和p型的不同就是载流子不一样，n型是电子，p型是空穴，反应到霍尔效应方面就是方向的差距，所以通过霍尔效应可以判断类型。至于参杂的TiO2是n型还是p型就要看具体的情况了。

我的想法是纯的半导体应该是本征半导体, 只存在本征激发产生的电子和空穴. 产生n型和p型的原因是带隙中有浅搀杂能级. 所以我认为二氧化钛应该为本征半导体.
但有文献报道为n型, 这我就想不明白了。

因为有杂质时才会出现电子空穴的不规则分布，在二氧化钛表面形成缺陷，成为捕获电子和空穴的陷阱。推荐你看下刘守新的《光催化及光电化学基础与应用》

引用回帖:

Originally posted by lgl102110 at 2009-6-19 21:37:
我的想法是纯的半导体应该是本征半导体, 只存在本征激发产生的电子和空穴. 产生n型和p型的原因是带隙中有浅搀杂能级. 所以我认为二氧化钛应该为本征半导体.
但有文献报道为n型, 这我就想不明白了。

你说的本征半导体只在成分不偏离化学比等理想状态下成立。实际上，非故意掺杂的TiO2中含有Ti2O3(氧成分偏少，偏离TiO2的化学比），Ti2O3中Ti离子为＋3价，从而多出一个游离于晶格中的3d电子，使TiO2成为电子导电的n型半导体。同理，非故意掺杂的有氧空位的ZnO和有N空位的GaN等也都表现为n型半导体特性
，

学习了

问问，二氧化钛可以和P型材料制成PN结吗

就是直接用热压的方法把他们弄在一起

二楼的解答应该很详细了
再详细的 你得去看书了

引用回帖:

Originally posted by hjm009 at 2009/6/19 19:42:
n型和p型的不同就是载流子不一样，n型是电子，p型是空穴，反应到霍尔效应方面就是方向的差距，所以通过霍尔效应可以判断类型。至于参杂的TiO2是n型还是p型就要看具体的情况了。

说的好 顶