请仔细参考经典的半导体物理书籍，上面会有详细的描述。

哪一本经典书籍？那个地方有详细提到暗电流？？？

可以查半导体物理书，解释的很清楚了，简单理解为受光和不受光两种情况

源于复合 儿形成暗电流 决定于材料本身

请问受光情况下还称“暗“电流吗？

请参考street的英文原版书，中文翻译、抄袭的书籍应该要审慎对待。

本质上是系统自适应的电荷迁移电流！

暗电流是指P-N结在反偏压条件下,没有入射光时产生的反向直流电流.一般由于载流子的扩散产生或者器件表面和内部的缺陷以及有害的杂质引起。扩散产生的原理是在PN结内部，N区电子多，P区空穴多，因为浓度差，N区的电子就要向P区扩散，P区的空穴要向N区扩散，尽管PN结内建电场是阻止这种扩散的，但实际上这中扩散一直进行，只是达到了一个动态的平衡，这是扩散电流的形成。另外当器件的表面和内部有缺陷时，缺陷能级会起到复合中心的作用，它会虏获电子和空穴在缺陷能级上进行复合，电子和空穴被虏获到缺陷能级上时，由于载流子的移动而形成了电流，即所谓的暗电流。同样有害的杂质在器件中也是起到复合中心的作用，道理和缺陷相同。
暗电流一般在分选硅片时要考虑，如果暗电流过大说明硅片的质量不合格，如表面态比较多，晶格的缺陷多，存在有害的杂质，或者掺杂浓度太高，这样的硅片制造出来的电池片往往少子寿命低，直接导致了转换效率低，

a 无光照情况下，对电池施加反偏压，流过电池的反向电流。
b 主要包括反向饱和电流、漏电流。
  反向饱和电流：
    施加反偏压时，PN结耗尽层变宽，扩散电流变小，但漂移电流变大形成反向饱和电流，构成暗电流的主要部 分。
  漏电流：
    电池的N区、P区存在的缺陷形成载流子复合区，在复合过程中形成的电流成为漏电流，对暗电流有贡献。