设置不同价态，还没听过过 一般做氧空位就直接删掉了氧原子

请教版主，Mn替代ZnO中的一个Zn原子，在加一个Oi填隙原子，如何设置Mn为+1价，Oi为-2价？谢谢！

引用回帖:

Originally posted by NKDMS at 2009-1-9 00:28:
请教版主，Mn替代ZnO中的一个Zn原子，在加一个Oi填隙原子，如何设置Mn为+1价，Oi为-2价？谢谢！

我不大明白是否能实现这点，还有你是否能够明白自己要做的这点，还是仅仅文献上看到别人分析出Mn为1价态了

按我目前的理解上做，就是直接替换Zn为Mn，坐标文件中不考虑任何价态。待计算完成后，具体再去分析Mn的价态。当然只比较粗的估计。另外填隙原子也一样。

我记得我师弟曾跟我讨论过，说他发现castep中间替换原子时有价态选择。这点当时由于比较忙也没有好好考虑过。不过如果自己考虑价态，没有设置好，出现体系带电现象，那么体系中间由于周期作用将会出现电荷相互作用。不说收敛难，就计算的结果可靠与否就难说了。因此我怀疑他当时的发现是否准确。所谓隔行如隔山，不过不懂也如隔山，如果vasp和castep都能考虑不同原子的价态选择，那么我这些话就都是错误的
，

我用过castep.是能设置价态得,有设置价态得选项,但是不知道vasp怎么设置了,文献有很多人算不同价态的缺陷的形成能

引用回帖:

Originally posted by csfn at 2009-1-9 07:30:


我不大明白是否能实现这点，还有你是否能够明白自己要做的这点，还是仅仅文献上看到别人分析出Mn为1价态了

按我目前的理解上做，就是直接替换Zn为Mn，坐标文件中不考虑任何价态。待计算完成后，具体再去分 ...

谢谢版主回复！您说的很对！
对于原子数多的大体系，设置+2以下的电荷影响不大，再多了就必须考虑偶极作用的修正。在Castep容易设置，但Vasp不知道如何设置两个不同的带电离子。

通过NELECT设置总的价电子数来实现。如Si的Conventional Cell， 有8个原子，总价电子数为32，如果掺入替代位B原子，则总价电子数为31，如果让B为－1价，则在INCAR中设NELECT＝32。

引用回帖:

Originally posted by ecitpxq at 2009-1-10 19:48:
通过NELECT设置总的价电子数来实现。如Si的Conventional Cell， 有8个原子，总价电子数为32，如果掺入替代位B原子，则总价电子数为31，如果让B为－1价，则在INCAR中设NELECT＝32。

谢谢！非常感谢！
一个位置替代，减少（或增加）一个电荷，设置NELECT后，基本上带电位于该缺陷上。如果两个缺陷，例如A和B，这时设置NELECT后，不好控制A和B的电荷。例如A带+1，B带-1电荷，不用设置NELECT，怎样让A和B分别带
不同电荷？

最近在稀磁半导体的文献中，常看到变价模型。