1.发音很正确！
2.磷吸杂是在表面作多晶硅电极时，在POCl3气氛下热处理，在硅片内部形成高磷层，磷的掺入引起费米能级的变化（费米能级效应），通过与缺陷有关的非平衡过程，增大了金属与施主的配对（离子成对效应），使金属的固溶度增加，从而达到吸杂的目的。（金属固溶度与费米能级有关，这个你可以插到相关的公式）。这就是你说的费米能级效应、离子成对效应
3.经过处理后杂质就会聚集在磷重扩的地方，在太阳电池中可以通过后道工艺去除。而非挥发或溶解了。

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-23 at 10:54 ]

ddx-k 师兄，您好！
  磷吸杂在硅太阳能电池整个工艺流程中有好几处都要用到，如在前端吸杂处理时，及在扩散制结时，而您说的：“2.磷吸杂是在表面作多晶硅电极时”？？？？
做电极时会用磷吸杂吗？
硅太阳能电池整个工艺流程简易版：
多晶硅片 →清洗 →进行吸杂处理（如：用磷吸杂或铝吸杂或磷-铝联合吸杂） →去除吸杂层 →扩散制结（此处也要用到磷扩散工艺） →做铝背场→做上下电极 →去周边 ,测量电学特性.

我说的就是扩散的那一步，不是做电极的，我是想少打字^_^，扩散不就是在上面的嘛，
你说的多晶硅片的生产工艺很正确，但是一般生产上的工艺是通过优化工艺直接扩散制结，在扩散的时候已经吸杂了，而后再去除磷硅玻璃的时候顺便把该层去除了。
也就是说我们看到的工艺中应该是：
多晶硅片 →清洗 →扩散制结 →去周边→去磷硅玻璃→做铝电极→做铝背场→做上电极 →共烧结→测量电学特性分档封装。

所有的电池生产工艺，可能也有前后调整，都大致相当。


不要那样夸我了，我也是盲人摸象，只知道一部分了，互相学习！

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-23 at 16:50 ]

就是表面了，你真是个认真的人啊，其实表面也要进入个**nm吧，这样说不还是内部了，内部也有内的程度。

为了让这个帖子更有价值。你看过文献，请跟帖说下那个高磷区域是多少深度，pn结是多深？顺便把你看的那个文章上传下，我给你加分。为了让这个帖子更有价值。

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-23 at 16:59 ]

师兄，我有事先下线了，呵呵，改天再来向师兄您请教！
                              提前祝师兄圣诞节快乐！

师兄，您好！我已把我看过的文献查阅了一遍，发现绝大多数的都只是提到磷扩散在表面及其的浓度，只有一篇硕士论文中提到了磷扩散在表面、一定条件下的浓度、及PN结深（1.7到2微米），没有你说的高磷区域的深度，现已上传到纳米盘

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硕士论文：磷铝吸杂及HIT晶硅太阳电池高转换效率机理研究.pdf


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