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【求助】请教:在半导体器件中,少数载流子起主导作用?

作者 basanwuyu
来源: 小木虫 900 18 举报帖子
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在半导体器件中,少数载流子起主导作用?人们通常测少子的寿命,为什么不讨论多子的寿命呢?
                            谢谢!

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-24 at 20:07 ] 返回小木虫查看更多

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  • 精华评论
  • chuxiong2

    多数载流子也有作用的,是少数载流子的个数太阳,如果稍微的变化就很明显,所以我们很关注少数载流子的寿命,并且太阳电池的外电流也是靠少数载流子的。

  • floljf

    引用回帖:
    Originally posted by ljjbpp at 2008-12-1 17:52:
    这个问题是半导体物理有涉及
    因为在PN结的两边由于存在一个耗尽层,多子已经在一定区域内耗尽了,从而形成从N区到P区的内建电场,所以这时候少子的在电场中的运动就变的很重要了.就比如N区的孔穴会在内建电场的 ...

    ===================================
    我的看法和你基本一致!正式由于内电场的存在,而内电场是由少子构成的,切内电场是有利于少子的漂移。少子的寿命在凡存在PN结的半导体器件中均起到重要作用。

  • hhx621

    非平衡多数载流子的浓度和多数载流子浓度相比几乎可以忽略,所以常研究非平衡小数载流子的浓度

  • tan-tt

    hhx621的解释才是问题的核心。
    因为载流子的寿命测量,通常都是指的非平衡载流子。而非平衡少数载流子相对于少数载流子才有较为明显的变化。非平衡多数载流子的变化不大。

  • basanwuyu

    谢谢hhx621及tan-tt  的回复,祝你们常常开心!

  • xyq163

    知识涉及半导体物理
    载流子即说的少子,是半导体器件的主要物理参数,
    空间电荷区即耗尽层。是P区N区少子的集合区,当内建电场达到一定时,即平衡,少子即不在复合。
    所谓的少子寿命即少子运动到复合中心的时间,是衡量一个材料的半导体特性的重要标准》

  • basanwuyu

    xyq163  要有自己的见解 ,不要盲目地抄袭别人的话语!

  • yuminglang

    当用光照射半导体时,半导体处于非平衡态,这个也叫光注入,同时也有电注入,这时半导体内就有非平衡载流子形成,对于N型的半导体,&N是非平衡多子 &P是非平衡少子,又因为非平衡载流子要复合,所以要测其寿命,这一点希望你能搞懂。当小注入时,P《&P=&N《N   &P的对空穴的影响是很大的  继而影响半导体的性能。
        现在我也只能说这么多, 我给你推荐 刘恩科的 《半导体物理》,  你看之后会有很大的收获~~~~ 希望对你有帮助 ~~~~   我是兰大的研究生    以后又什么问题 我们可以一起讨论,共同进步~~~314437897,

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