通常在半导体物理中所提到的陷阱，指的是禁带中的一些缺陷。相对于复合中心而言，陷阱对电子或者空穴的俘获截面差别较大，从而能俘获电子或者空穴，称为电子陷阱或者空穴陷阱。而复合中心是对电子和空穴的俘获截面差不多，能同时俘获电子和空穴，使电子和空穴发生复合后，重新保持电中性。而陷阱只能靠去陷获释放电子和空穴。通常都是禁带中的深能级缺陷。目前关于其本质的特性可能还了解的不是很清楚，

谢谢楼上的。那么由于电荷补偿引起的电荷陷阱呢？又怎么理解呢

不好意思，我没有听说过所谓的电荷补偿引起的电荷陷阱的概念，你能详细说说具体问题呢？是在什么地方出现的概念或者问题？