【讨论】无序掺杂晶体的CASTEP计算设置及讨论
刚刚做了几组无序掺杂的晶体模型设置，发现无法用Occupancy来实现同一位置不同元素混合分布的要求。因为Occupancy只是对于不同位置具体存在的元素有用。
所以做无序掺杂还只能用Composition。具体操作是：应该先按照未掺杂的情况来建立3D模型，之后选择所有要掺杂的元素：Edit-------Atom Selection--------选择元素，勾选Add to the existing selection，点Selection。全部选上。
调出Properties对话框，View-------Explores---------Properties Explores.在Composition上双击，再点Edit….，将未掺杂元素的Composition修改成所要的组分百分比，之后再Add，选择掺杂元素，设置百分比，OK即可。
这样的处理，感觉就是原来的原子都不动，只是你掺杂的位置成分多了，而且在计算时，掺杂的位置仍然是按照一个原子来对待，并不区分到底是哪一种元素，也就是无序了。
但遗憾的是在计算设置时，无法再选择Population analysis，因为
一Cannot run CASTEP for the given scope (disordered crystal). The following features are not supported:：Population analysis。而且别的性能也有很多不可以计算。对于自旋设置也有问题，大家不妨试试。
因此在后续分析的时候没有population分析就显得苍白了，而且单个原子的分析也很难了，就因为无法分开掺杂位的相异原子。
以上只是自己初步的讨论，难免有不对的地方，献丑了，望大家多多指正、补充。
[ Last edited by aylayl08 on 2008-6-11 at 17:29 ]
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这个近似我这里用的不多,不过找类似的文献应该有一些吧.
Cohen的文章中这这么说明的:对比了相同原子配比下两种方法的计算结果,发现得到的趋势是相同的,因此使用virtual crystal method得到的结果是可靠的.也就是说用两种方法相互验证了一下.
关键他只是对力学性能这一个方面做的计算，还很难说其他的方面依然适用。
求教楼上几位一个掺杂的问题，是不是半径小的掺杂到原子半径大的晶格中晶面间距要变小，半径大的掺杂到半径小的晶格中晶面间距变大。
我做了一个关于NiO 的材料，电镜上看到晶面间距变大了，但里面掺杂的有Mo 还有Cs元素，而Mo半径比NiO稍微小一点，Cs比Ni大两倍，不知道什么元素掺进去了，请各位指教
我感觉应该是Cs。你说的那个应该很对，不过也许也有特殊情况，得考虑原子间成键的问题，有的共价键和离子键的原子半径是不同的，所以有时可以讨论一下原子间共价成分与离子键成分的相对量。所以要多方面分析。一般共价原子半径要比其离子半径小得多。
[ Last edited by aylayl08 on 2008-6-13 at 09:26 ]，
我也查了Mo+5和+6价的半径，Mo+5的半径还是比Ni+2价小一点，没有查到Mo+4价的。Cs离子的半径（137）比Ni+2（70）价的大那么多能掺进去吗？
嗯，这个，我感觉你有必要做个X射线衍射，分析下有没有生成别的杂质相，不知道NiO是何结构，其间有多大的间隙空间。也可能是混入了间隙位置，不一定是替代了Ni