【讨论】无序掺杂晶体的CASTEP计算设置及讨论
刚刚做了几组无序掺杂的晶体模型设置，发现无法用Occupancy来实现同一位置不同元素混合分布的要求。因为Occupancy只是对于不同位置具体存在的元素有用。
所以做无序掺杂还只能用Composition。具体操作是：应该先按照未掺杂的情况来建立3D模型，之后选择所有要掺杂的元素：Edit-------Atom Selection--------选择元素，勾选Add to the existing selection，点Selection。全部选上。
调出Properties对话框，View-------Explores---------Properties Explores.在Composition上双击，再点Edit….，将未掺杂元素的Composition修改成所要的组分百分比，之后再Add，选择掺杂元素，设置百分比，OK即可。
这样的处理，感觉就是原来的原子都不动，只是你掺杂的位置成分多了，而且在计算时，掺杂的位置仍然是按照一个原子来对待，并不区分到底是哪一种元素，也就是无序了。
但遗憾的是在计算设置时，无法再选择Population analysis，因为
一Cannot run CASTEP for the given scope (disordered crystal). The following features are not supported:：Population analysis。而且别的性能也有很多不可以计算。对于自旋设置也有问题，大家不妨试试。
因此在后续分析的时候没有population分析就显得苍白了，而且单个原子的分析也很难了，就因为无法分开掺杂位的相异原子。
以上只是自己初步的讨论，难免有不对的地方，献丑了，望大家多多指正、补充。
[ Last edited by aylayl08 on 2008-6-11 at 17:29 ]
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京公网安备 11010802022153号
请问一下，这样掺杂在模型中看不到掺杂的 原子
这样掺杂能算哪些东西？结果是否合理？
用castep做掺杂是否都是用这种方法？
我刚开始做掺杂，主要关注掺杂后体系的稳定性问题（能否算能量？）
请指教！谢谢！
当然能算总能量了。我主要还是算能带和态密度。结果我没有进行分析，但模型是合理的，结果也不会有大问题。再探讨....
大部分文献都不是这么掺杂的，都是将晶体里选择掺杂的原子，修改元素modify element，得到的有序掺杂晶体模型，只是一种特例，不同掺杂情况不同。我做过这样的，已经是成功了。
但还想尝试一下上述方法，因为这种才更接近于实际实验。但我没有见过类似的文献。
[ Last edited by aylayl08 on 2008-6-12 at 09:05 ]
下面是曾经看到过的，感觉值得探讨，贴出来：
就如同楼主所说，方法1应该是更合理的，而方法2可以清楚的分辨各个原子，可以更方便地分析不同位置掺杂对体系性能的影响，这估计是supercell掺杂这种方法更“流行”的原因吧
，
非常感谢hopingzmn，我曾看过这个帖子，却一直没找到，谢谢啦。
很受益啊，谢谢
两种都挺常用吧
第一种是virtual crystal method(翻译为"虚晶近似"?),第二种是Supercell method
前一种计算过程中.赝势是按照原子比例权重计算得,比如"CxN1-x"原子就是按照x比例混合C和N的原子赝势;第二种就是直接取代原子了
因此单纯从电子结构的计算精度看,第二种肯定是更准确的,但第二种改变原子配比的可能性比较小,如要考虑更多的掺杂比例需要很大的超胞,这个计算量是很大的.当然,在合金以及精度要求不是很高的情况下,第一种方法也可以得到较好结果.
可以参考一篇理论高手M.L.Cohen的文章,同时使用了这两个方法研究力学性能 Nature, 399, 132
谢谢楼上的，楼上可否把M.L.Cohen的文章发给我？我上不了英文的数据库。ayl20080451@163.com那如果说是研究力学性能当然是两者都可以了，那我要用电子结构（态密度）研究结构稳定性呢？虚晶近似在CASTEP中怎样探讨呢？
[ Last edited by aylayl08 on 2008-6-12 at 11:23 ]