价态变化，或者缺陷有关，可以通过变温I-V测试确定，是否这种机理，典型的有V2O5等，可以看这方面文献，一起交流

对于典型的半导体材料的电子输运行为存在三种机理解释：热激活模式（thermal activation model）;小极化子模式(small-polarn model);变程跃迁电导（variable range hopping）。小极化子模型一般要求形成极化子，所谓极化子是指载流子在离子晶体中慢速行动时，由于离子带电荷，载流子与离子之间相互作用产生计划，并使载流子处于半束缚状态，这种计划状态称为载流子。
跃迁电导是 指碍有限温区，电子可以被热激发到扩展态，或者一个空的定域态。对后者一个外场产生一个沿场方向的电流运动。
热激活模式，也就是最近邻的跳跃，这是假定温度足够高，克服能量差跳至最近邻是最可能发生的事件，电阻率一般可以用Arrhenius公式来描述。
当温度足够低时，跳至空间距离更远但能量靠近E的格点J的概率更大，这个刑法是Mott于1968年首先提出的，这个过程被称为变程跳跃VRH，具体可以在去查一些文献。

应助帖链接：

1,请教：哪位能帮忙具体解释一下：各向异性磁场强度
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=769831
2,【求助】关于钒的磁性
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=769296

主题讨论帖链接
1,磁化率单位转换公式
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=746165
2,推荐一个可以下全文博士论文的数据库
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=702238，

非常感谢romanfei网友