CVD法制备纳米材料,需要沉积在硅片上。各位虫虫有什么好方法把大的硅片切割整齐,分成小块? [ Last edited by caosw2001 on 2008-7-8 at 16:25 ] 返回小木虫查看更多
对,我们也这么划
Si(001)小片可直接用螺丝刀一压就沿解理面裂开了 较大的Si用金刚石刀划,沿解理面划不易碎。
用金刚刀,有卖的。
使用激光切割器 设定好程序后机器自动切割,可保证是一样大小 金刚石切的话,也很难确保一致大小
有专业的硅片切割厂家,能按照要求切。要是量少的话人家是不会给你切的。 我一般是用镊子照着边沿处使劲一按就裂开了,熟练的话能裂得很好。 还见过国外某实验室设计的一种设备,结构比较简单,原理是垂直固定一个剃须刀片,刀锋与水平面有一个较小的夹角,利用刀锋直接切断硅片,切口边沿极整齐。
只要在硅片直边处用刀片划个小缺口,再沿着通过缺口并与直边垂直线掰一下就行了,行话叫解理,
硅片的切割是否容易取决于硅片的晶向,对于(100)的硅片,同意4搂的说法,用玻璃刀沿着有缺口的地方,平行画下,然后就能割开了,并且很容易切割方正。 而对于(111)的硅片,非常不好切割,容易形成三角形,建议你用玻璃刀和不锈钢尺子结合使用,就可以了。
单晶硅片,无论是100还是111,都可以用玻璃刀(有的是用碳化硅做刀口,有的是金刚石的)在平行于较大的缺口在背面划划痕,尽量划深点,但每次用力不要太大,不然会碎的。硅片的缺口开口的方向和个数表征了硅片的参杂类型以及晶面(但好像只有较小的硅片是这样的,现在尺寸较大的硅片因为开口的话太浪费,所以并不采用这种方法标志硅片类型)这方面的次料网上很多,楼主也可以去wikipedia去看看(好消息,不知道为什么最近国内可以不用代理上维基百科了), 注意,因为硅片很脆,所以碎一点是免不了的,当然要是有线切割设备会好一点。 用硫酸和双氧水4:1在100度处理,那是半导体工艺中,除去表面的金属以及有机物的一个流程,但切硅片留下的粉末没必要这么处理,因为在背面划的,划好后后先擦一擦在掰会好很多,然后用酒精超声一下,就没事了。 当然,相信你的硅片划好后不会直接用,当然要洗的。洗的流程的话就跟据你的要求来了,这个有很多资料了,我就不细说。。 呵呵,我就说这么多了,
对,我们也这么划
Si(001)小片可直接用螺丝刀一压就沿解理面裂开了
较大的Si用金刚石刀划,沿解理面划不易碎。
用金刚刀,有卖的。
使用激光切割器
设定好程序后机器自动切割,可保证是一样大小
金刚石切的话,也很难确保一致大小
有专业的硅片切割厂家,能按照要求切。要是量少的话人家是不会给你切的。
我一般是用镊子照着边沿处使劲一按就裂开了,熟练的话能裂得很好。
还见过国外某实验室设计的一种设备,结构比较简单,原理是垂直固定一个剃须刀片,刀锋与水平面有一个较小的夹角,利用刀锋直接切断硅片,切口边沿极整齐。
只要在硅片直边处用刀片划个小缺口,再沿着通过缺口并与直边垂直线掰一下就行了,行话叫解理,
硅片的切割是否容易取决于硅片的晶向,对于(100)的硅片,同意4搂的说法,用玻璃刀沿着有缺口的地方,平行画下,然后就能割开了,并且很容易切割方正。
而对于(111)的硅片,非常不好切割,容易形成三角形,建议你用玻璃刀和不锈钢尺子结合使用,就可以了。
单晶硅片,无论是100还是111,都可以用玻璃刀(有的是用碳化硅做刀口,有的是金刚石的)在平行于较大的缺口在背面划划痕,尽量划深点,但每次用力不要太大,不然会碎的。硅片的缺口开口的方向和个数表征了硅片的参杂类型以及晶面(但好像只有较小的硅片是这样的,现在尺寸较大的硅片因为开口的话太浪费,所以并不采用这种方法标志硅片类型)这方面的次料网上很多,楼主也可以去wikipedia去看看(好消息,不知道为什么最近国内可以不用代理上维基百科了),
注意,因为硅片很脆,所以碎一点是免不了的,当然要是有线切割设备会好一点。
用硫酸和双氧水4:1在100度处理,那是半导体工艺中,除去表面的金属以及有机物的一个流程,但切硅片留下的粉末没必要这么处理,因为在背面划的,划好后后先擦一擦在掰会好很多,然后用酒精超声一下,就没事了。
当然,相信你的硅片划好后不会直接用,当然要洗的。洗的流程的话就跟据你的要求来了,这个有很多资料了,我就不细说。。
呵呵,我就说这么多了,