斑主
伸伸援手啊
哎
我真的是比较急啊

高手们多加照顾啊！！！！！！！！！！

各自定义如下：（找本物理书看看）
禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。硅的禁带宽度为 0.8ev,砷化镓比他高得多（具体不记得了，大概是一点几还是二点几）。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都合禁带宽度攸关。
在单电子近似的DFT理论框架里，禁带宽度定义为导带（conduction band）电子和价带（valence band）电子之间的能量差。
逸出功（work function）  又称功函数或脱出功。一个电子从金属或半导体表面逸出时克服表面势垒所必须做的功。不同金属具有不同的逸出功。如钨的逸出功为4.5电子伏特（eV）（1eV=1.602×10-19焦耳），镍为4.3电子伏特。对同种金属，其逸出功往往又与它的晶轴取向和表面状况密切有关。在金属表面涂以钡、锶、钍等氧化物后，逸出功显著减小。如表面涂钍的钨的逸出功为2.63电子伏特，而表面涂铯的钨的逸出功仅为0.71电子伏特。因此在电子管、光电管中常用涂有氧化物的金属作为阴极。

固体表面吸附气体后，逸出功也会发生变化，因而测量逸出功变化已成为研究固体表面性质的一种方法，

佩服楼上的,学习了,谢了,顺便补充一句,禁带宽度是一个绝对值,而逸出功是一个相对值(无穷远处为0势面).

感谢上面二位的跟贴谢谢啊
让俺长了见识

这样看来二者严格意义上还真不是一个概念啊
只不过是同一量纲吧了
嗯
谢谢啊