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小卉leaf

金虫 (著名写手)

[求助] EIS测试数据拟合,求助哇~~~ 已有1人参与

本人电化学门外女汉,依葫芦画瓢学了一点阻抗的基本知识,完全不够用啊!!!水太深了!!!

说正经事:
我是研究薄膜抗腐蚀性的,测了极化曲线,请电化学方面的老师帮忙指导,说是让我补充EIS,我就做了,数据处理上有一些困难需要大家帮助.
1. 设备CHI660E,0.01-100000,±10mV
2. 薄膜是原位生长,导电,与基体冶金结合
3. 我的Nyquist图上在低频区出现了感抗弧(也是看了很多虫友回答的结果),但是我的等效电路里没有加上这个感抗(主要是我不会加啊),所以在拟合的时候Nyquist图不太符合,我看了一些虫友的回答说Error%都小于10%即可,但我也被告知,左上角那个Chi-squared(请告诉我这是什么?是总误差值吗?)要到0.001-0.009这个数量级。所以图1的结果是不符合了(Chi-squared:0.015)。也有人建议先把感抗弧那段去除(很多虫友表示去数据不科学哇)再拟合,我照做了,拟合后见图2,那个Chi-squared果然降低了到了0.003,各个Error%也都小于10%。

那么我的问题来了:
1. 我的等效电路是否合适?是否需要加上感抗以及如何加呢?
2. 关于拟合结果,以什么标准算好呢?比如我上面所说的是 Error%都小于10% 还是 Chi-squared 0.001-0.009?或者是其他标准。
3. 这两个拟合结果哪个更可取?是选择较高误差还是删数据,还是都很挫?如果都很差,我应该怎么呀
4. EIS和极化曲线,哪个结果更可靠?还是相辅相成的?如果不统一看哪个?

毕业临时抱佛脚啊,如果回答的很好,一定多加金币!!!多谢了先!
EIS测试数据拟合,求助哇~~~
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EIS测试数据拟合,求助哇~~~-1
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小卉leaf

金虫 (著名写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 土纸 at 2014-11-25 23:25:26
第二个n大于1,常相位角元件在0.5~1之间,如果大于1就固定成电容

但是这个等效电路的有些元件误差好大啊
8楼2014-11-26 14:49:37
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查看全部 15 个回答

巫师926

铁杆木虫 (正式写手)

我认为你去除的那一段不是感抗引起的,有可能是其他的因素,如果不好的结果,就再多做两次,你首先要保证你的实验条件要比较准确。EIS和极化曲线是表达两个方面的性能,不能帮上你什么,再多做几组数据吧。
追逐自己的梦想!做一个二愣子!
3楼2014-11-25 14:13:18
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土纸

金虫 (著名写手)

贵金属、钛合金合金靶材制备与

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
小卉leaf: 金币+5, ★★★很有帮助 2014-11-25 18:10:10
小卉leaf: 金币+20, ★★★很有帮助 2014-12-16 20:58:02
阻抗拟合数据
溶液电阻很大啊,是什么溶液导电这么差,还是鲁金毛细管的口与工作电极的距离太大造成的。

水溶液的电容值的单位一般为微法,也就是10-5~10-6次的数量级,你这个都10的-7了,这只能说明阻抗的模型是存在问题的。
个人感觉,在高中频,也就是100hz以上的频率范围内,可能存在两个不同的容抗电路,两个容抗电路的共同响应反映出一个容抗弧,可以看成是一种合并后的容抗弧。
其中一个容抗电路是负责极高频区域的阻抗响应,因为bode图中的波峰的一段比较宽过于平坦,特别是高频区和中高频区基本同出于波峰,说明整个中高频区域存在两个bode图的峰叠加。
亦即存在两个时间常数。
低频处的感抗不明显,另外实验现象中是不是膜层已经在试验最后阶段出现锈蚀所致,仍需要你提供更一步的信息。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

电镀、真空镀膜,金属熔炼与加工,贵金属靶材,钛合金靶材,金银铂铑钯钌等出售
4楼2014-11-25 16:21:13
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小卉leaf

金虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 巫师926 at 2014-11-25 14:13:18
我认为你去除的那一段不是感抗引起的,有可能是其他的因素,如果不好的结果,就再多做两次,你首先要保证你的实验条件要比较准确。EIS和极化曲线是表达两个方面的性能,不能帮上你什么,再多做几组数据吧。

这个数据我仅仅用来学习拟合的,我还在测更多的数据,谢谢

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
5楼2014-11-25 18:12:36
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