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在硅衬底和二氧化硅衬底上如何做金(Au)薄膜
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aijiawo
金虫
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虫号: 1368762
[交流]
在硅衬底和二氧化硅衬底上如何做金(Au)薄膜
金(Au)薄膜对硅衬底和二氧化硅衬底的粘附性都很差,一般要做过渡层,像钛钨、铬等,我想问,不做过渡层,如何提高金(Au)薄膜对衬底的粘附性,做过这方面研究的虫子们给一下指点,先谢谢了~~
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1楼
2013-05-07 15:40:24
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aijiawo
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哪位虫子可以指点一下,谢谢!
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2楼
2013-05-08 13:48:37
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天之蓝心
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aijiawo: 金币+1
2013-05-08 16:11:29
不知道你用的是什么方法,一般的溅射的话提高基底温度试试
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3楼
2013-05-08 14:19:47
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甲子湖
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不懂,帮顶下
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4楼
2013-05-08 14:56:43
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aijiawo
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3楼
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Originally posted by
天之蓝心
at 2013-05-08 14:19:47
不知道你用的是什么方法,一般的溅射的话提高基底温度试试
哦,我电子束蒸发和溅射都可以做,不过不知这些工艺的基底温度控制方便不。
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5楼
2013-05-08 16:10:57
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天之蓝心
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aijiawo: 金币+2
2013-05-08 21:33:55
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5楼
:
Originally posted by
aijiawo
at 2013-05-08 16:10:57
哦,我电子束蒸发和溅射都可以做,不过不知这些工艺的基底温度控制方便不。...
可以的,一般的设备都有正反转电机用来控制溅射过程中的温度。你可以查查薄膜技术方面的资料,不同的方法影响附着力的因素不同,尤其是工艺参数上。
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6楼
2013-05-08 18:46:34
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aijiawo
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6楼
:
Originally posted by
天之蓝心
at 2013-05-08 18:46:34
可以的,一般的设备都有正反转电机用来控制溅射过程中的温度。你可以查查薄膜技术方面的资料,不同的方法影响附着力的因素不同,尤其是工艺参数上。...
多谢指点!
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7楼
2013-05-08 21:34:12
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qwcmos
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aijiawo: 金币+2
2013-05-21 08:07:34
sputter:
1.基片沉积前,负偏压蚀刻清洗
2.沉积过程中,施加负偏压。
3.提高基片沉积温度300度-600度。
EB:
1.基片沉积前,Ar+蚀刻清洗。
2提高基片沉积温度300度-600度。
这是我做实验室采用的方法。仅仅是建议哈,希望对你有帮助。
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8楼
2013-05-20 10:14:28
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aijiawo
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8楼
:
Originally posted by
qwcmos
at 2013-05-20 10:14:28
sputter:
1.基片沉积前,负偏压蚀刻清洗
2.沉积过程中,施加负偏压。
3.提高基片沉积温度300度-600度。
EB:
1.基片沉积前,Ar+蚀刻清洗。
2提高基片沉积温度300度-600度。
这是我做实验室采用的方法。 ...
很有帮助,谢谢!
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9楼
2013-05-21 08:07:56
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Lydia_Lynn
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
Si和Ti的粘附性好,还是SiO2和Ti的粘附性好???
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10楼
2013-05-27 16:39:50
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文虫wen
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11楼
2014-04-24 16:20:29
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chichister
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10楼
:
Originally posted by
Lydia_Lynn
at 2013-05-27 16:39:50
Si和Ti的粘附性好,还是SiO2和Ti的粘附性好???
SiO2
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12楼
2016-02-04 12:23:20
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