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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 其它 » 关于磁控溅射的问题
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god1999

金虫 (小有名气)

[求助] 关于磁控溅射的问题

我想问一下有关于磁控溅射的基体温度和退火温度是一个意思吗？如果不是，那分别代表什么意思呢？我知道基体温度是在溅射中给基体加的温度。那么退火温度是什么呢？
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新手，求帮助
1楼 2013-01-29 10:41:45
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johngolden

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
god1999: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢，很有帮助 2013-01-29 16:41:32
基体温度和退火温度不是一个意思。基体温度（substrate temperature)是指在生长过程中加的温度。所加温度为生长时间。而退火温度是（post annealing）温度。顾名思义，是生长结束后加的。因为是后处理，时间和温度可以选择自由度很大。有一种比较特殊的所谓 Rapid thermal annealing,通过高温，很短时间里达到后处理，局部结晶的效果。
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3楼2013-01-29 14:03:08
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
yanbo1986: 金币+3, 感谢应助。 2013-01-29 10:59:13
god1999: 金币+3 2013-01-29 16:42:29
为了改善薄膜的性质，很多溅射、蒸发制备的薄膜都采用了热处理（退火）的步骤，这一步是在薄膜沉积完后进行的。其主要目的包括：提高沉积膜在基板的附着力，生长某种结晶面等。
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
2楼2013-01-29 10:50:15
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god1999

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by johngolden at 2013-01-29 14:03:08
基体温度和退火温度不是一个意思。基体温度（substrate temperature)是指在生长过程中加的温度。所加温度为生长时间。而退火温度是（post annealing）温度。顾名思义，是生长结束后加的。因为是后处理，时间和温度可 ...

这个后处理的温度一般加多少度呢？我的是Si-Ti复合材料，我的基体温度在290摄氏度，
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新手，求帮助
5楼2013-01-29 16:41:08
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god1999

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by Jackcd12 at 2013-01-29 10:50:15
为了改善薄膜的性质，很多溅射、蒸发制备的薄膜都采用了热处理（退火）的步骤，这一步是在薄膜沉积完后进行的。其主要目的包括：提高沉积膜在基板的附着力，生长某种结晶面等。

一般这个后处理的温度以什么为标准呢？
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新手，求帮助
6楼2013-01-29 16:42:22
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