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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

[求助] 射频磁控溅射镀金属靶材如何建立自偏压?

在射频磁控溅射过程中,由于电子的迁移速度远大于离子的迁移速度,使得正半周期积累到靶上的电子数量远大于负半周期积累到靶材上的离子数量,使得射频磁控溅射过程中建立负的自偏压。
我的问题是,金属靶材作为导体不应该存在电荷积累过程,也就是说电荷在接触到靶材的瞬间就会传导出去,那为什么射频镀金属靶材也能建立自偏压呢?望各位高手指点,谢谢!
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

引用回帖:
5楼: Originally posted by zhubin6599 at 2012-04-19 12:30:39:
其实我也纠结在这方面,测控溅射是怎么起辉的,怎么判断起辉效果好,还有就是不知道为什么溅射金属,用射频源也行,唉,纠结啊……

我现在明白一些了,其实金属靶材和挡板之间形成一个电容,这是能够容纳一定数量的电荷的,金属靶材的导电性越强,该电容值就越小,其所能建立的自偏压就越小,反之自偏压就越大。
趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
6楼2012-04-19 12:42:14
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

不知道怎么回复版主的提示,但是就用电荷传导需要时间来解释好像有点牵强。因为射频能溅射能否起辉从而建立自偏压还跟挡板与靶材之间的距离有关系,我对此的理解是能否建立自偏压还跟回路中的电容(距离影响电容大小)有关,不知道正确与否,期待大侠指点迷津!
趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
2楼2012-01-18 18:08:31
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lawyer1793polo

银虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
leongoall: 金币+2, 有帮助, 多谢提供信息 2012-04-19 12:38:27
这个偏压应该与电极的面积比有关,赵化侨的书上好像有解释,可以看看参考一下
3楼2012-01-18 23:35:18
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

引用回帖:
3楼: Originally posted by lawyer1793polo at 2012-01-18 23:35:18:
这个偏压应该与电极的面积比有关,赵化侨的书上好像有解释,可以看看参考一下

我并不是说偏压与哪些参数有关,而纠结于金属靶材为何也能建立偏压,哎,或许是钻牛角尖了,但的确不明白!
趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
4楼2012-01-19 00:58:37
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