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[交流] 【求助完毕】vasp-slab-边界附近原子顶位吸附小分子的结构优化很难收敛吗?

我的表面是p(3*3)大小的,在表面中间吸附、掺杂都能100步内收敛。但是在靠近边界的最表层原子顶位上的吸附(如吸附SO2)结构,力就很难收敛,都300多步了,而且能量在小数点后第三位上上下波动。

同样在边界附近去掉一个最表层原子(O),做一个空位结构,也能较快收敛。但同一系列的自洽计算(ISMEAR=0,SIGMA=0.05),scf的EENTRO~=.03。一般中间缺陷或者吸附结构在scf计算中第六电子步就是0.0000了。

问题:
(1)边界上的缺陷和吸附结构优化有什么要注意的呢?
(2)要增大表面大小,把边界外推,让吸附结构靠近表面中心?
(3)超胞结构优化(cell fixed)边界与表面中心的处理不一样吗?

[ Last edited by cenwanglai on 2011-4-25 at 20:13 ]
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fanchen021

铁杆木虫 (正式写手)



sunyang1988(金币+1):谢谢交流 2010-12-14 09:17:37
cenwanglai(金币+2):是氧化物表面。中间是有杂原子的。除此之外,没有差别。杂原子对表面有一定扭曲。 2010-12-14 11:28:57
氧化物表面么?

能确定边界和中心的环境是一样的么?
4楼2010-12-14 09:16:14
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bingmou

金虫 (著名写手)


★ ★
zzy870720z(金币+2):鼓励交流 2010-12-13 22:59:04
如果有图会比较容易理解,你的表面是周期边界条件的吗?边界是指在cell的边界处吗?
按我的理解,在边界处的计算应该和中心计算没有太多的区别,唯一可能的原因就是原子一离开cell就会做一个加法或减法回到cell,这种加法减法可能会导致误差。
顶位的吸附也是一个问题,有可能会有多个暂稳态使得原子在多个暂稳态之间跳跃
2楼2010-12-13 21:09:26
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引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2010-12-13 21:09:26:
如果有图会比较容易理解,你的表面是周期边界条件的吗?边界是指在cell的边界处吗?
按我的理解,在边界处的计算应该和中心计算没有太多的区别,唯一可能的原因就是原子一离开cell就会做一个加法或减法回到cell, ...

是周期性边界条件。你完全明白了我的问题所在。

我的POTIM调到0.1了。是不是可以再调小一点?
3楼2010-12-14 09:10:04
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bingmou

金虫 (著名写手)


★ ★
zzy870720z(金币+2):谢谢指教 2010-12-14 09:33:26
cenwanglai(金币+2):表面被吸附的小分子受力无法收敛。其它结构能很好的收敛到0.02.边界附近吸附势只能到0.05. 2010-12-14 11:30:14
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-12-14 09:10:04:


是周期性边界条件。你完全明白了我的问题所在。

我的POTIM调到0.1了。是不是可以再调小一点?

我觉得你可以仔细研究是一下是哪些原子的力无法收敛,以及他们为什么在那里无法收敛。POTIM已经很小了,我觉得没有必要修改,而且VASP在弛豫的过程中是修改POTIM的,如果发现不对会缩小POTIM,如果发现正确会加大POTIM
5楼2010-12-14 09:24:01
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