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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助完毕】vasp-slab-边界附近原子顶位吸附小分子的结构优化很难收敛吗？
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

[交流] 【求助完毕】vasp-slab-边界附近原子顶位吸附小分子的结构优化很难收敛吗？

我的表面是p(3*3)大小的，在表面中间吸附、掺杂都能100步内收敛。但是在靠近边界的最表层原子顶位上的吸附（如吸附SO2）结构,力就很难收敛，都300多步了，而且能量在小数点后第三位上上下波动。

同样在边界附近去掉一个最表层原子（O），做一个空位结构，也能较快收敛。但同一系列的自洽计算（ISMEAR=0,SIGMA=0.05）,scf的EENTRO~=.03。一般中间缺陷或者吸附结构在scf计算中第六电子步就是0.0000了。

问题：
（1）边界上的缺陷和吸附结构优化有什么要注意的呢？
（2）要增大表面大小，把边界外推，让吸附结构靠近表面中心？
（3）超胞结构优化（cell fixed)边界与表面中心的处理不一样吗？

[ Last edited by cenwanglai on 2011-4-25 at 20:13 ]
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1楼2010-12-13 16:17:55
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fanchen021

铁杆木虫 (正式写手)
★
sunyang1988(金币+1):谢谢交流 2010-12-14 09:17:37
cenwanglai(金币+2):是氧化物表面。中间是有杂原子的。除此之外，没有差别。杂原子对表面有一定扭曲。 2010-12-14 11:28:57
氧化物表面么？

能确定边界和中心的环境是一样的么？
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4楼2010-12-14 09:16:14
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