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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助完毕】vasp-slab-边界附近原子顶位吸附小分子的结构优化很难收敛吗？
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

[交流] 【求助完毕】vasp-slab-边界附近原子顶位吸附小分子的结构优化很难收敛吗？

我的表面是p(3*3)大小的，在表面中间吸附、掺杂都能100步内收敛。但是在靠近边界的最表层原子顶位上的吸附（如吸附SO2）结构,力就很难收敛，都300多步了，而且能量在小数点后第三位上上下波动。

同样在边界附近去掉一个最表层原子（O），做一个空位结构，也能较快收敛。但同一系列的自洽计算（ISMEAR=0,SIGMA=0.05）,scf的EENTRO~=.03。一般中间缺陷或者吸附结构在scf计算中第六电子步就是0.0000了。

问题：
（1）边界上的缺陷和吸附结构优化有什么要注意的呢？
（2）要增大表面大小，把边界外推，让吸附结构靠近表面中心？
（3）超胞结构优化（cell fixed)边界与表面中心的处理不一样吗？

[ Last edited by cenwanglai on 2011-4-25 at 20:13 ]
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1楼2010-12-13 16:17:55
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)
引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2010-12-13 21:09:26:
如果有图会比较容易理解，你的表面是周期边界条件的吗？边界是指在cell的边界处吗？
按我的理解，在边界处的计算应该和中心计算没有太多的区别，唯一可能的原因就是原子一离开cell就会做一个加法或减法回到cell， ...

是周期性边界条件。你完全明白了我的问题所在。

我的POTIM调到0.1了。是不是可以再调小一点？
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3楼2010-12-14 09:10:04
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