北京大学集成电路学院黄如院士团队招聘全职博士后
研究专业/方向：
微电子学与固体电子学/半导体新器件；物理学/半导体物理
候选人基本条件：
1.在国内外知名高校或研究所获得物理、材料、微电子、电子工程等相关专业博士学位；
2.具有良好的英语读写能力，近三年内在相关领域权威期刊或顶级会议发表过第一作者研究论文至少1篇；
3.热爱科研工作，具有从事创新性研究的热情、高度的责任心、良好的职业道德和团队合作精神；
4.年龄在35周岁以下，获得博士学位不超过3年；须全职从事博士后研究工作。
候选人附加条件：
优先考虑具有以下相关研究经验的申请人
1. 氧化铪铁电材料与铁电器件（FeRAM, FeFET, FTJ）；
2. 纳米氧化物薄膜的生长与表征；
3. 半导体器件工艺集成技术。
岗位职责：
在黄如院士、唐克超研究员课题组全职从事半导体材料和集成微纳电子器件的相关工作，研究方向包括但不限于：1）高质量铁电材料的生长方法。2）FeFET器件的设计，制备和测试。3）氧化物薄膜材料在存储器件中的新应用
薪酬待遇：
基本待遇（包括五险一金、博士后住房补贴、博士后公寓或租房补贴等）按北京大学博士后流动站相关规定执行；根据北京市博士后管理政策办理有关落户事宜。
视申请人背景提供不低于25万的年薪，并视每年度工作完成情况提供科研奖励津贴。符合条件并申请成功国家“博新计划”等博士后项目或北京大学“博雅博士后”项目者，另享相关待遇；在站期间取得的学术成果享受学校相关奖励政策。
申请材料：
申请人简历及能体现个人能力的相关资料（包括但不限于个人情况、教育经历、研究经历、科研能力、技术背景、代表性论文、论文成果目录等）。
请发送申请资料至 tkch@pku.edu.cn，标题注明“博士后申请+申请人姓名”。
联系方式：
唐克超研究员（邮箱：tkch@pku.edu.cn）
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