课题组简介

本课题组具有多年的氮化镓基功率器件和射频器件的研究基础，依托广东省GAN器件工程技术研究中心和第三代半导体器件深圳市重点实验室，并与深圳市第三代半导体研究院合作紧密。课题组负责人有多项在研课题，科研经费充裕。课题组依托的实验室和测试中心，实验条件完善，可以提供完整的器件加工和测试平台，鼓励科研创新。优秀工作者可以带领研究助理（RA或研究生）共同开展科研工作。

课题组负责人简介

于洪宇教授，本科毕业于清华大学，硕士/博士分别毕业于加拿大多伦多大学/新加坡国立大学。2011年至今任南方科技大学教授，目前担任深港微电子学院院长，深圳第三代半导体研究院院长，未来通信集成电路教育部工程研究中心主任，广东省三维集成工程研究中心主任。于洪宇教授代表南科大与第三代半导体产业技术创新战略联盟共同筹建深圳第三代半导体研究院，与清华大学共同牵头筹建未来网络高端器件制造业创新中心，筹建南科大深港微电子学院。牵头组建深圳市第三代半导体重点实验室、广东省GaN器件工程技术中心，并成立团队。享受深圳市政府特殊津贴，广东省科技创新领军人才，英国工程技术学会会士(Fellow of IET)，任Science Bulletin（科学通报英文版）副主编以及《Journal of Semiconductor》编辑。2004年至2008年，在比利时鲁汶IMEC（全球著名微纳电子研发中心）任资深研究员及项目负责人。2008年至2011年，在新加坡南洋理工大学电子与电工工程学院担任南洋助理教授。发表学术论文近400篇（包括期刊与会议），其中近190篇被SCI收录，总他引次数近5000 次，H 影响因子为39。受邀撰写了4 本专业书籍的章节，并编辑2本书籍。发表/被授予近20 项美国/欧洲专利以及60余项国内专利。于洪宇教授在集成电路工艺与器件方面，包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成（GaN HEMT），取得一系列创新性工作。在南科大建成超过600平米的洁净间，形成一个完整的6英寸工艺实验室，其硬件水平相对领先。

专业方向

微电子学、材料、物理、化学、数学

招聘条件

1. 在相关专业已毕业或者即将毕业的博士，年龄在35岁以下，获博士学位不超过3年
   
2. 热衷科学研究、恪守学术道德准则，有强烈的责任心，工作勤奋踏实，具有团队合作精神，具有较强的科研能力
   
3. 有良好的英文写作与交流能力，能撰写高水平中、英文研究论文，已在相关研究领域发表有影响力的高水平学术论文（第一作者或通讯作者）
   

1. 参与课题组与第三代半导体材料、器件及电路设计和制备方向相关的科研工作
   
2. 协助课题组申报各类科研课题及承担相应的科学研究任务
   
3. 发表具有国际竞争力的高水平学术论文
   

1. 博士后聘期两年
   
2. 博士后年薪33.5万元左右，含广东省补助15万元（税前）及深圳市生活补助6万元（税后），并按深圳市有关规定缴纳社会保险及住房公积金。博士后福利参照学校员额内教职工标准发放
   
3. 特别优秀者可以申请校长卓越博士后，年薪可达41.5万元，（含广东省及深圳市补助）；此前研究方向匹配度较好或是研究基础较好的科研人员工资可以面谈
   
4. 根据博士后具体科研工作业绩情况，可享受院系、课题组相应的科研绩效奖励
   
5. 课题组提供充足的科研支持，并协助博士后本人作为负责人申请中国博士后科学基金、国家自然科学基金及广东省、深圳市各级科研项目
   

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