最近这个直接带隙和间接带隙的问题真的给我搞懵了，暂且先拿这篇文献中的问题请教一下大家
使用Tauc方程计算带隙： 方程式在下面附图中显示
文献中说：对于n的取值：（CuS为1，g-C3N4为4)，直接带隙半导体和间接带隙半导体的n值分别为1和4  。
这意思就是说g-C3N4是间接带隙 然后n=4 ，也就是公式指数为 4/2=2 ， 然后我发现在Tacu图中，g-C3N4对应的图的纵坐标显示的指数却是1/2，是画错了还是我理解出现偏差了，这个问题我在另一篇文献中也看到了。
而且对于直接带隙和间接带隙n的取值问题，我至今没弄清楚，有的文献说的正好反过来，希望大家可以指点一下。


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