电极材料掺杂研究中晶胞结构优化后角度变化如何处理？
我想问下做电池计算的同学，电极材料的晶胞掺杂后，用VASP结构优化完了，要考虑αβγ角度的变化吗，我在文献里面只看到讨论a和c长度的变化，不会提到夹角，但是我ISIF=3驰豫完，角度变化还是挺明显的，而且这个时候导入MS找不到原来的六方结构
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会讨论晶格形变，形变过大的话还是不适合做电极材料
算表面
我是按照文献的方法进行扩超胞，然后替换掉一个原子，但是我和文章中c轴的变化值不一样，文中没有提到夹角的变化，所以我怀疑是不是我不应该全驰豫，而是固定夹角不变去测试不同的晶格参数
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