本人是做光电催化方向研究的，考虑到要测试光电响应这一块的内容，因此想了解一下选择p-Si两面分别进行光电测试是否有区别。

你这个硅片应该是抛光过，只抛一面而已。别一面有微粗糙是原使硅片切割中留下的线痕。你现在做测试应该选择光面测试，我对光电催化不了解，但对光伏和半导体硅片比较了解也接触过。如光伏用的硅片表面不能有线痕，这种工艺在切割时就定型，用途太阳能发电。而半导体硅片在切割时，硅片两面都有线痕，经抛光研磨后成晶圆，再上光刻胶，时刻等等就变成芯片。

你最好找光伏板块问，硅片一般分正面和背面，正面印正银，背面印背银和背铝，烘干烧结后可以使用并测试。

纸模

关键是你现在研发的方向是太阳能电片上的应用，还是半导体硅片上的应用。如果你现在研发是未来的半导体硅片光电催化。你就不能往光伏想了吧，两者用途工艺都不一样。如想了解更多加我吧。