接收预调剂，要求如下：
1、是应用物理、新能源与材料、信息专业背景；
2、过a类国家线；
3、初试科目有数学。

郭道友，博士，副教授，从2013年开始一直从事超宽禁带氧化物半导体Ga2O3材料的生长、物性及器件应用方面的研究，特别是在日盲深紫外探测器方面的应用。主持国家自然科学基金1项、浙江省基础公益研究项目1项、浙江省教育厅一般项目1项、重点实验室开放课题4项，横向课题1项。撰写Ga2O3相关的综述论文2篇（均4万余字），以第一作者/通讯作者发表Ga2O3相关SCI论文30余篇【包括1篇ACS Nano，1篇Phys. Rev. Applied，4篇Appl. Phys. Lett.，2篇Mater. Today Phys.，2篇ACS Appl. Mater. Interfaces，3篇J. Mater. Chem. C，2篇Sci. Rep.，其中3篇为ESI高被引论文】。论文被国际晶体生长组织(IOCG)前主席、第二届Ga2O3国际研讨会主席Roberto Fornari教授等国际著名学者多次正面引用及评价。被Adv. Energy Mater., Adv. Mater., Adv. Funct.  Mater., Appl. Phys. Rev.，J. Mater. Chem. A, ACS Photonics，Appl. Phys. Lett.等国际知名杂志引用2000余次，其中4篇文章的引用超过百次，单篇最高已被引240余次【详见Google学术个人主页：https://xs.glgoo.99lb.net/citati ... ;user=VNJmnGAAAAAJ#】，申请Ga2O3相关专利20余项，其中已授权4项。是Adv. Funct. Mater., Adv. Optical Mater., Phys. Rev. Applied, Mater. Today Phys., ACS Appl. Mater. Interfaces, ACS Photonics, Carbon, J. Mater. Chem. C等10多个国际著名刊物的审稿人，担任国家自然科学基金项目评审专家，浙江省自然科学基金评审专家。
研究领域
1. 超宽禁带半导体Ga2O3薄膜的外延生长与物性调控
2. Ga2O3基异质结的构筑与光电性能研究
3. Ga2O3纳米柱阵列的生长与相结构筑
4. Ga2O3基日盲紫外探测器的制备与应用研究

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