半导体存储器件可靠性机理、器件结构中材料缺陷的第一性原理计算
如题，半导体存储器件可靠性机理、器件结构中材料缺陷的第一性原理计算这个研究方向怎么样？前景如何，容不容易出成果。
没有接触过这个方向，想了解了解，希望各大神不吝赐教。
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这是要读博吗？这就是模拟计算嘛。如果硕士没有学这个，直接读博做这个估计有点难，偏理论。看这个标题，可能还涉及到输运理论。
有读博打算；硕士是计算材料学方向，偏化学；接触过一下第一性原理计算，想跨专业读个半导体物理方面的博士；本科和硕士的专业都是物理学。。。
偏化学不应该做的是量子化学的从头算吗?文章相对于实验好发，但要求也会比实验高，不搞科研的话就业不是很理想。另外看学校平台，没超算没工作站会很不方便，缺陷的计算量不小。菜鸟一枚，不对的地方轻喷!
硕士的时候是做偏化学方面的计算材料学，也接触过量子化学从头算。现在准备读一个偏半导体物理方面的博士，不知道这个前景如何�
，
已打消进企业念头，希望博士多出些成果将来进高校