一、研究方向
1. 高效太阳能电池材料及器件
2. 半导体纳米电子器件、场效应器件、光电器件及热电器件
3. 氮化物材料生长、LED芯片工艺及器件物理
4. 二维材料、钙钛矿材料器件

二、导师介绍
中国科学院半导体研究所合作导师：袁国栋研究员，2006年在浙江大学获博士学位。2006至2012年先后在香港城市大学、德国波鸿鲁尔大学、德国柏林洪堡大学从事博士后研究，2012年入选中国科学院百人计划，入职中国科学院半导体研究所，任研究员，博导，2014年开始兼任中国科学院大学教授，2014年获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金，主要从事硅基半导体材料表界面物理、光伏、硅基氮化物外延及LED研究。至今在Adv. Mater., Angew. Chem. Int. Ed., Nano Lett., ACS Nano, Adv. Funct. Mater. 等刊物发表SCI论文60多篇。

1. G. D. Yuan, R. Mitdank, A. Mogilatenko, S. F. Fischer, Porous nanostructures and thermoelectric power measurement of electroless-etched black silicon, J. Phys. Chem. C, 116 (2012) 13767.
2. G. D. Yuan, Y. B. Zhou, C. S. Guo, W. J. Zhang, Y. B. Tang, Y. Q. Li, Z. H. Chen, Z. B. He, X. J. Zhang, P. F. Wang, I. Bello, R. Q. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee, Tunable electrical properties of silicon nanowires via surface ambient chemistry, ACS Nano 4 (2010) 3045.
3. G. D. Yuan, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. Fan, J. X. Tang, I. Shafiq, Z. Z. Ye, C. S. Lee, S. T. Lee, Tunable N-type Conductivity and Transport Properties of Ga-doped ZnO Nanowire Arrays, Adv. Mater., 20 (2008) 168
4. G. D. Yuan, W. J. Zhang, W. F. Zhang, X. Fan, C. S. Lee, S. T. Lee, p-type conduction in nitrogen-doped ZnS nanoribbons, Appl. Phys. Lett., 93 (2008) 213102
5. H. Y. Chen, G. D. Yuan*, Y. Peng*, M. Hong, Y. B. Zhang, Y. Zhang, Z. Q. Liu, J. X. Wang, B. Cai, Y. M. Zhu, J. M. Li, Enhanced performance of solar cells with optimized surface recombination and efficient photon capturing via anistropic-etching of black silicon, Appl. Phys. Lett., 104, 193904, 2014
6. M. Hong, G. D. Yuan*, Y. Peng*, H. Y. Chen, Y. Zhang, Z. Q. Liu, J. X. Wang, B. Cai, Y. M. Zhu, Y. Chen, J. H. Liu, J. M. Li, Control carrier recombination of multi-scale textured black silicon surface for high performance solar cells, Appl. Phys. Lett., 104, 253902, 2014
7.  C. Guo, L. Luo, G. Yuan, X. Yang, R. Zhang, W. Zhang and S.T. Lee, Surface passivation and transfer doping of silicon nanowires, Angew. Chem. Int. Ed. 48 (2009) 9896

深圳大学导师：曾昱嘉，深圳大学教授，博士生导师，比利时KU Leuven访问教授，合作博士生导师，德国HZDR合作博士生导师，浙江大学硅材料国家重点实验室客座研究员。发表SCI论文80余篇，引用>3300次，H因子为26。入选深圳市海外高层次人才孔雀计划，博士学位论文获2010年全国百篇优秀博士学位论文提名论文奖，参与获得浙江省科学技术奖一等奖3项。设计并参与了多个海外重大科研项目，项目经费累计超过400万欧元。长期担任Energy & Environmental Science, Materials Horizons, Applied Physics Letters, ACS Applied Materials & Interfaces, Nanoscale, CrystEngComm, Journal of Materials Chemistry C等50余个国际知名期刊审稿人。

三、实验室平台介绍
中国科学院半导体照明研发中心自2006年成立以来，目前已经形成了完整且具有国际先进水平的半导体光电器件研发平台。中心建成了1500平方米的超净工艺环境，拥有先进的芯片工艺制造平台，包括清洗、腐蚀、光学光刻、电子束光刻、电子束蒸发、氮化硅沉积、ICP硅刻蚀、ICP氧化硅刻蚀，多台国外进口的III-V族化合物MOCVD生长系统，扫描电子显微镜，太阳能电池转化效率及量子效率测试系统等先进仪器。

四、聘期待遇：
（1）基本年薪26-28万；
（2）完成博士后基础工作量之外，发表一篇一区论文奖励3万元，一篇二区论文奖励1万元；
（3）根据聘期工作情况课题组提供额外奖励；
（4）优先支持以项目负责人身份申请各级科研项目：青年基金、博士后基金、广东省博士启动项目、深圳市基础研究项目（最高50万元）；
（5）符合深圳市孔雀计划认定标准或获得博士后基金的后备级人才，在深圳工作期间可获160万住房补贴（分5年发放），如留校可获270万孔雀计划科研启动经费。
（6）近2年内世界排名前200高校毕业者（参考泰晤士高等教育世界大学排名，不含境内），可申请珠江学者计划。年薪约48万，基本年薪28万+计划奖励20万

五、联系方式
袁老师：gdyuan@semi.ac.cn 返回小木虫查看更多