香港科技大学深研院 陈敬教授 招博后(GaN及SiC器件/可靠性/功率电路/电源模块)
一,应聘要求:
1,获得或即将获得相关专业(材料,物理,微纳电子,电力电子)博士学位。
2,研究背景(满足一项或以上):
(i) 宽禁带半导体功率电子器件 (材料,工艺,设计及仿真)
(ii) 宽禁带半导体功率电子器件的可靠性、稳定性;
(ii) 功率电子/电源系统设计及实施。
3,具有良好的英文写作能力,以第一作者发表过2篇以上SCI论文。
4,年龄不超过35周岁。
二,待遇:(24万/年起)
待遇按照按深圳市和深圳研究院相关规定。
另有发表论文,申请基金等相关奖励。
三,出站要求:
JCR二区或以上期刊论文2篇。
四,入站时间:2017.9.1前
五,合作导师:
Prof Kevin J Chen (陈敬),香港科技大学电子与计算机系教授,IEEE Fellow。
个人主页:https://www.ece.ust.hk/~eekjchen/
联系方式:
请将个人简历和代表论文电邮发送至:eekjchen@ust.hk
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想报陈教授2018年秋季的博士,能不能麻烦楼主告知陈教授是否招生?
招,可以留意学校的申请程序
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