一，应聘要求：
        1，获得或即将获得相关专业博士学位。
        2，研究背景（满足一项或以上）：
          (i) 半导体物理性质，如光学、电学、缺陷的光电特性等；
          (ii) 半导体工艺和（发光、光电、功率等）器件测试、器件物理；
          (iii) 外延生长；
          (iv) 单光子相关。
        3，具有良好的英文写作能力，以第一作者发表过1篇以上SCI论文。
        4，年龄不超过35周岁。

二，待遇：（26-30万/年）
        按照深圳市和深圳大学相关规定，博士后基本待遇25.7万/年。若是泰晤士高等教育世界大学前200名高校（包括国内）应届或一年内毕业的博士；或在博士期间发表3篇JCR二区及以上论文的，基本待遇为28.1万/年。另外，还有申请课题、发表论文等相关的奖励。
支持赴境外或国外交流访问。

三，出站要求：
        发表JCR一区期刊论文1篇，或JCR二区期刊论文2篇，或JCR三、四区期刊论文4篇。

四，入站时间：随时入职

五，合作导师：
        李百奎，博士，助理教授。长期致力于II-VI,III-V族宽禁带半导体，尤其是氮化物半导体的物理性质研究，先进器件工艺开发，和新型光电器件和功率器件的研究。
    目前研究方向包括：氮化镓异质结新型发光器件和功率器件及,光电集成；氮化铝单晶的物理性质和器件；单光子探测。
    支撑项目：国家自然科学基金（包括重点项目1项）、广东省自然基金、深圳市等课题多项，经费充足。

联系方式：
    请将个人简历和代表论文发送至：libk@szu.edu.cn，李百奎老师。 返回小木虫查看更多