在论文中看到霍尔迁移率和电导率随温度增加而降低,那么就是简并半导体,想问这是怎么判断呢,对于其他半导体,或金属来说,他们之间又有怎样的依赖关系呢? 返回小木虫查看更多
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对于简并半导体,特别是强简并半导体,其载流子浓度很高,即多子的浓度远远大于少子的浓度,随着温度的升高,少子的数量在慢慢增加,在一定温区内,少子的数量相对于多子是可以忽略的,但是温度增加晶格振动加剧,载流子遭遇的散射增强,迁移率下降,则表现出电阻率随着温度上升,迁移率下降。对于声学波散射占主导的散射(德拜温度以上,本征激发温度以下,电导率和温度之间满足-1.5指数关系)。简并半导体载流子浓度遵从费米狄拉克分布。 如果是非简并半导体,电子和空穴的数量随着温度的增加而增加,即载流子浓度会增大,所以电阻率会下降,表现出本征半导体的性质。非简并半导体的载流子浓度遵从波尔兹曼分布。 至于迁移率的问题,如果温度很低且离化杂志散射占主导,随着温度的增加迁移率会增大,如果是声学波散射占主导,温度增加迁移率会下降。还有一些其他的散射机制,不过热电领域讨论得不多,
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对于简并半导体,特别是强简并半导体,其载流子浓度很高,即多子的浓度远远大于少子的浓度,随着温度的升高,少子的数量在慢慢增加,在一定温区内,少子的数量相对于多子是可以忽略的,但是温度增加晶格振动加剧,载流子遭遇的散射增强,迁移率下降,则表现出电阻率随着温度上升,迁移率下降。对于声学波散射占主导的散射(德拜温度以上,本征激发温度以下,电导率和温度之间满足-1.5指数关系)。简并半导体载流子浓度遵从费米狄拉克分布。
如果是非简并半导体,电子和空穴的数量随着温度的增加而增加,即载流子浓度会增大,所以电阻率会下降,表现出本征半导体的性质。非简并半导体的载流子浓度遵从波尔兹曼分布。
至于迁移率的问题,如果温度很低且离化杂志散射占主导,随着温度的增加迁移率会增大,如果是声学波散射占主导,温度增加迁移率会下降。还有一些其他的散射机制,不过热电领域讨论得不多,