跪求IV伏安特性曲线随着温度变化，势垒高度的变化
如题：我测里一个结的IV伏安特性曲线随着温度变化，从图中我们怎么知道其势垒高度随着温度的变化是减小还是升高，其依据是什么？！另外，正常的IV曲线是向下凹的，而我的是向上凸起的，初步判定是隧穿机理，不知道是否正确，请高手指点！多谢!!急求！！！急求！！！
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趁高手还没来，抛个砖先。
减小，因为加同样的电压得到更大的电流。
向上凹说明这是一个不好的diode。
没看到负微分电阻区啊，怎么说是隧穿呢？
为什么你加反向偏压的IV曲线少了几条？
大家交流一下哦，别客气。暂时手边没有施敏的书，呃。对啊，负微分区没有出现在你的IV曲线里，如何证明是隧穿了？ 你的是什么材料啊？
0.5mm的本证i-Si衬底上长了100nm的Mn0.4Si0.6非晶薄膜（i-Si长膜前带有自然氧化的SiO2，大约2nm）。结的测量如图所示。我邮箱：yangac_@126.com QQ:253914407。多谢！
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