UH=RH/d*IC*B （1）
式中，RH称为霍尔系数，它的单位是米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度。
设RH/d=K,则式（1）可写为：
UH=K*IC*B (2)
可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。
在式（2）中，若控制电流IC,为常数，磁感应强度B与被测电流成正比，就可以做成霍尔电流传感器；另外，若仍固定IC为常数，B与被测电压成正比，又可制成霍尔电压传感器。

怎么换算，不明白

霍尔元件灵敏度他们之间的单位换算：https://zhidao.baidu.com/link?ur ... s8ArFIaHO0Qkg2Cp7dK

一般开关型的霍尔灵敏度是指原件本身的磁开启和关闭点，表示的单位大多为两种，高斯（Gauss）与毫特斯拉（mT），10Gauss=1mT
线性霍尔的灵敏度是指单位磁场变化时其输出电压的变化，一般用毫伏/高斯（mV/Gauss）或者毫伏/毫特斯拉（mV/mT）表示，换算参照开关型

（1）霍尔效应的公式是：U＝KIB/d；其中U是电压，K是霍尔系数；I是电流；B是磁感应强度；d是霍尔元件的厚度。那么K的量纲是：伏特×米/（安培×特斯拉）；
（2）还有磁场中电流的受力公式，简化后有：F＝ILB；I是电流；L是导线长度；B是磁感应强度；所以B的量纲是：牛顿/（安培×米）；
（3）由电场强度的定义：E＝F/q，电压与电场的关系式：U＝E×d，电压的量纲是：牛顿×米/库仑这样代入得到K的最终量纲是：米的三次方每库仑。