制备ZnO肖特基接触与金属膜厚有关吗
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做了一个实验,在单晶ZnO薄膜上渡了一层金属Pd(功函数大约5.12eV)。理论上与ZnO形成肖特基接触,之前也做过几次,得到了很好的肖特基接触。用的是磁控溅射方法,再做时却得到了欧姆接触,不知道怎么回事。得到欧姆接触的实验,溅射时间较长,金属膜较厚。请问肖特基接触与金属膜厚有关吗?实验失败的原因是什么呢?请各位大侠多多指点。
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做了一个实验,在单晶ZnO薄膜上渡了一层金属Pd(功函数大约5.12eV)。理论上与ZnO形成肖特基接触,之前也做过几次,得到了很好的肖特基接触。用的是磁控溅射方法,再做时却得到了欧姆接触,不知道怎么回事。得到欧姆接触的实验,溅射时间较长,金属膜较厚。请问肖特基接触与金属膜厚有关吗?实验失败的原因是什么呢?请各位大侠多多指点。
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可能与膜厚有关
还有可能Pd是否有部分氧化活进入ZnO内部
磁控溅射,你打上去的时候接触的致密性其实不是很好。一般和膜厚度关系不大,关键是两种材料的接触,只要接触的好的话,很薄也可以的,出现欧姆接触也很正常
接触的致密性?那要怎么改善呢?我要做肖特基接触,不是欧姆接触。要怎么改善呢?调整溅射功率吗
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