从哪里听来的预阱？

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      量子阱生长过程中，由于受到材料的影响，晶格的不匹配产生很大的应力，这些应力在缓冲层和n-GaN层由于不能够很好的释放，会一直发展到量子阱层中，量子阱中发生迟豫，对发光波长产生很大的影响，而且量子阱中也不可避免出现极化效应，极化效应使得量子阱发光的波长发生漂移，发光的单色性受到很大的影响，对于芯片的利用受到很大的限制，在生产中，为了保证在不同注入电流情况下光的单色性能够得到有效的保证，我们需要通过一些特殊的方法来减小量子阱中的极化效应。

      台湾LED芯片生产厂家一般釆用在量子前生长预阱的方式来释放应力以减弱极化效应。

    我们也实验生长了一组InGaN/GaN SLS预阱来观察其用对量子阱的发光的影响。我们在蓝宝石PSS衬底上生长2μm的缓冲层结构，然后生长2μ的n-GaN层，在量子阱生长前，我们生长三组不同的预阱结构，具体参数如表，然后生长8
(doped) +5 (undoped)的量子阱结构，长完完整的结构后，退火后取出。

    论文分析结论：一定周期的量子阱预阱结构可以有效的释放材料的应力，是应力释放的很好途径，减小应力对量子阱的影响，也可以使极化效应产生的结果释放于预阱中，对发光的稳定性有着很大的提高。
https://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10004-1012356647.htm，