碳/硅复合物TG测试
想问下大家，碳/硅复合物，想测得其中碳含量，做TG测试时，应该在什么温度下，什么氛围中？（其中硅为纳米级的，大概几十纳米的样子，如果在空气中它应该是很容易被氧化的吧，不知具体温度）
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Si在空气里，室温下都能被氧化
你可以直接加氧气
将C全部烧除，应该在500度以上，这时候Si应该全部被氧化了
然后再计算Si的量是多少，就可以得出C的量了
想测碳含量的话，直接用碳硫测试仪即可
楼主所说的碳/硅复合物应该不是碳单质和晶体硅的复合物吧？其实晶体硅是很容易氧化的，除了一些特殊用途外大多使用的是硅化合物。如果是这样的话二楼的方法是可行的。
这个的话对碳和硅有什么特殊要求吗？我的是热解碳
是热解碳和晶体硅，并且经过热处理的。也不知道在热处理过程中硅变成氧化物了没，不知道它被氧化的温度。请问几十纳米的硅大概在多少度就被氧化了呢？如果是变成硅氧化物了，还能用二楼说的那种测吗？
你可以通过XRD测试确定硅是否被氧化，如果被氧化的话就可以按照二楼的方法，因为硅的氧化物很稳定，但是碳在500℃就没有了。
假如硅还是晶体硅，你可以先处理一下，用氢氟酸把晶体硅洗掉，然后再测碳的含�
，
谢谢提醒