想问下大家,碳/硅复合物,想测得其中碳含量,做TG测试时,应该在什么温度下,什么氛围中?(其中硅为纳米级的,大概几十纳米的样子,如果在空气中它应该是很容易被氧化的吧,不知具体温度) 返回小木虫查看更多
Si在空气里,室温下都能被氧化 你可以直接加氧气 将C全部烧除,应该在500度以上,这时候Si应该全部被氧化了 然后再计算Si的量是多少,就可以得出C的量了
想测碳含量的话,直接用碳硫测试仪即可
楼主所说的碳/硅复合物应该不是碳单质和晶体硅的复合物吧?其实晶体硅是很容易氧化的,除了一些特殊用途外大多使用的是硅化合物。如果是这样的话二楼的方法是可行的。
Si在空气里,室温下都能被氧化
你可以直接加氧气
将C全部烧除,应该在500度以上,这时候Si应该全部被氧化了
然后再计算Si的量是多少,就可以得出C的量了
想测碳含量的话,直接用碳硫测试仪即可
楼主所说的碳/硅复合物应该不是碳单质和晶体硅的复合物吧?其实晶体硅是很容易氧化的,除了一些特殊用途外大多使用的是硅化合物。如果是这样的话二楼的方法是可行的。
这个的话对碳和硅有什么特殊要求吗?我的是热解碳
是热解碳和晶体硅,并且经过热处理的。也不知道在热处理过程中硅变成氧化物了没,不知道它被氧化的温度。请问几十纳米的硅大概在多少度就被氧化了呢?如果是变成硅氧化物了,还能用二楼说的那种测吗?
你可以通过XRD测试确定硅是否被氧化,如果被氧化的话就可以按照二楼的方法,因为硅的氧化物很稳定,但是碳在500℃就没有了。
假如硅还是晶体硅,你可以先处理一下,用氢氟酸把晶体硅洗掉,然后再测碳的含�
,
谢谢提醒