这个应该从几个nm可以一直长到你需要的厚度吧，只要你不停，膜就会一直长啊

氮化硅薄膜厚度一般在1微米以下，再厚的话就没有什么应用价值了

铂悦公司主要负责PROTOFLEX量子效率、IV测试及真空镀膜、沉积处理系统及太阳能中试线等全线产品在中国区的独家销售并售后服务支持
美国ProtoFlex是一家专注于生产中小型薄膜沉积设备及测量设备的美国公司。其创办人及公司技术总监Pawan Bhat博士有超过25年的薄膜测试经验，跨越了薄膜电池存储，可再生能源系统，光存储材料和真空制程等应用
　　美国ProtoFlex公司PECVD(等离子增强化学气相沉积)系统能够沉积高质量SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、太阳能材料、金刚石、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等多种薄膜材料以及炭纳米管(CNT)等。可选用射频(RF)、空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体(ICP)源。该公司采用先进技术和稳定可靠的设计为您提供多方位的服务，

在氮化硅生长方面，LPCVD与PECVD有何区别，如在薄膜质量方面来讲。为何在湿法刻蚀中，用作保护层的氮化硅都用LPCVD生长，而不用PECVD，用PECVD生长的氮化铝能不能被用来做保护层？