二者理想的接触势垒为0.49V
仅供参考，请楼主自行验算：
α -Si3N4的亲和能（导带Ec到真空能级E0的能量差）为2.1eV
....However, experimental studies of Si3N4 showed that electron affinity in these films is as large as 2.1 eV....
https://apl.aip.org/resource/1/a ... _s1?isAuthorized=no
...α -氮化硅是一种宽禁带半导体材料，禁带宽度达5.3eV ....
https://www.chvacuum.com/application/film/121681.html
由以上两条可知，α -Si3N4的费米能级位于E0下方4.74eV（即：2.1+5.3/2  eV)
而铝的功函数为4.25eV（即铝的费米能级位于真空能级E0下方4.25eV）
根据上述结果，可知铝和α -Si3N4的费米能级相差0.49eV，则其接触势垒为0.49V
实际的氮化硅质量不同，其费米能级位置也略有差异，而铝和氮化硅的界面态影响也会有，所以实际的接触势垒可能与0.49V有偏差，

改正：接触势垒差（能量）是0.49eV；接触电势差（电压）是0.49V；