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关于三氧化钼导带价带位置

作者 lmxaizxy
来源: 小木虫 150 3 举报帖子
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MoO3  thin films had initially been considered to have the valence band edge at 5.3 eV and the conduction band edge at 2.3 eV,   so that the device improve-
ment relied on a more favorable energy level alignment.
在文献上看到这样一句话  但感觉导带价带位置很离谱  不像二氧化钛那样从-0.29到2.91ev 不知道是哪种表达方式   哪位高手帮帮我 返回小木虫查看更多

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  • 精华评论
  • qfw_68

    TiO2的价带和导带的位置都要高于MoO3 的价带和导带, 而且从TiO2的价带到MoO3 的导带的能隙正好位于可见光区[见文献10]
    参见文献第二页第一段:
    https://docs.google.com/viewer?a ... Z6zpSp9C9Bz-w92fV9w

    上述说法与楼主的说法基本吻合,

  • yaochuang

    引用回帖:
    2楼: Originally posted by qfw_68 at 2011-09-08 15:59:20:
    TiO2的价带和导带的位置都要高于MoO3 的价带和导带, 而且从TiO2的价带到MoO3 的导带的能隙正好位于可见光区[见文献10]
    参见文献第二页第一段:
    [url]https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:GCCiazrbI ...

    你好,给的这个链接好像打不开阿~  呵呵~  能麻烦你给我发一份吗yaochuang123@126.com  谢谢了~

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