关于三氧化钼导带价带位置
MoO3 thin films had initially been considered to have the valence band edge at 5.3 eV and the conduction band edge at 2.3 eV, so that the device improve-
ment relied on a more favorable energy level alignment.
在文献上看到这样一句话 但感觉导带价带位置很离谱 不像二氧化钛那样从-0.29到2.91ev 不知道是哪种表达方式 哪位高手帮帮我
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京公网安备 11010802022153号
TiO2的价带和导带的位置都要高于MoO3 的价带和导带, 而且从TiO2的价带到MoO3 的导带的能隙正好位于可见光区[见文献10]
参见文献第二页第一段:
https://docs.google.com/viewer?a ... Z6zpSp9C9Bz-w92fV9w
上述说法与楼主的说法基本吻合,
你好,给的这个链接好像打不开阿~ 呵呵~ 能麻烦你给我发一份吗yaochuang123@126.com 谢谢了~