光催化活性与禁带宽度成正比吗?
临近答辩,发现有一句话不懂,故前来问各位大侠:
“Ag 掺杂在ZnO中使得ZnO禁带变宽,导带电位变得更负,而价带电位变得更正,使光生电子和空穴具有更强的氧化还原能力,从而使光催化活性增强。”
这难道是说,光催化活性与禁带宽度成正比吗?为什么呢?
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临近答辩,发现有一句话不懂,故前来问各位大侠:
“Ag 掺杂在ZnO中使得ZnO禁带变宽,导带电位变得更负,而价带电位变得更正,使光生电子和空穴具有更强的氧化还原能力,从而使光催化活性增强。”
这难道是说,光催化活性与禁带宽度成正比吗?为什么呢?
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祝楼主成功!
我的理解是这样的
禁带宽度增大,电子与空穴复合的时候提供的能量大,催化(或者说降解)效果好,但这里有个问题,禁带宽度大的话,光子激发分离电子和空穴的量会下降,
光催化活性不可能一直与禁带宽度成正比,因为当禁带宽度大于光子的能量时,将不会产生电子空穴对,更谈不上催化效应。